大族激光助力8吋SiC破局！已用于量產(chǎn)

隨著SiC襯底向8英寸大尺寸方向發(fā)展，傳統(tǒng)的線切割方式的短板會越來越顯著，面臨著高損耗、加工時間長等缺點，不利于SiC襯底的快速交付和降本。因此，創(chuàng)新性的碳化硅晶錠加工方法——激光剝離備受看好，該方法通過激光在晶錠內部形成改質層，實現(xiàn)晶圓的剝離，有效降低材料損耗率至60%以上，提高加工效率，并增加出片數(shù)量，有望顯著降低碳化硅襯底成本，促進SiC襯底的快速交付。

最新消息，國產(chǎn)激光剝離技術先行者——大族半導體已正式確認出席6月14日在上海舉辦的“汽車&光儲充與SiC技術大會”，屆時，大族半導體產(chǎn)品線總經(jīng)理巫禮杰將出席，并帶來《激光切片技術助力8inch SiC襯底降本增效》的主題報告。

大族半導體認為，傳統(tǒng)主流的線切割技術仍存在材料耗損大、加工效率低、出片率低等技術痛點，特別是面對大尺寸8英寸SiC襯底切片以及薄片切片，傳統(tǒng)切片技術已無法勝任；而新型激光切片技術，具有材料耗損小、出片率高、效率高等巨大優(yōu)勢。

目前，大族半導體QCB激光切片技術已成功應用于8英寸SiC襯底量產(chǎn)，同時，形成具有自主知識產(chǎn)權的新一代激光切片關鍵技術及裝備，助力8英寸SiC襯底降本增效。

早在2022年5月，大族半導體首次發(fā)布了激光切片(QCB技術)。據(jù)悉，該技術最高可提升270%的產(chǎn)能，并同期發(fā)布了SiC晶錠激光切片機、SiC超薄晶圓激光切片機兩款全新設備，并在客戶處做量產(chǎn)驗證。

近年來，大族半導體也在持續(xù)推進與行業(yè)龍頭客戶的合作，為規(guī)?；a(chǎn)SiC激光切片設備做準備，并不斷推出SiC激光退火設備等新產(chǎn)品，致力于推動國產(chǎn)SiC行業(yè)的進一步發(fā)展。