功率器件

面對以人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計算為代表的新質(zhì)生產(chǎn)力加速重構(gòu)制造業(yè)格局，全球工業(yè)體系正經(jīng)歷深刻重塑。在雙碳戰(zhàn)略驅(qū)動與能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的背景下，工業(yè)系統(tǒng)邁入“能效優(yōu)化+系統(tǒng)智能”的革新周期。中國亦將“新型工業(yè)化”確立為國家戰(zhàn)略，加快推動制造業(yè)向高端化、智能化、綠色化演進(jìn)。 2025年5月14日，由國際領(lǐng)先的半導(dǎo)體元器件分銷商大聯(lián)大控股主辦的“新質(zhì)工業(yè)·引領(lǐng)未來”峰會在深圳圓滿落幕。作為亞太地區(qū)領(lǐng)先的電子元

固晶工藝是將芯片固定在基板上的關(guān)鍵工序，核心解決“芯片如何穩(wěn)定立足”，廣泛應(yīng)用于 LED、功率半導(dǎo)體、傳感器等領(lǐng)域。與引線鍵合（金線/銅線）、倒裝芯片（焊球/焊膏）、底部填充（環(huán)氧樹脂）等工藝協(xié)同，構(gòu)成封裝連接體系。固晶錫膏憑借高強(qiáng)度（剪切強(qiáng)度 40MPa+）、高導(dǎo)熱（60-70W/m?K）、精密填充等優(yōu)勢，成為高端場景首選，分高溫型、中溫型、高導(dǎo)型，適配不同耐溫與散熱需求，是高溫、高功率器件的“剛需”連接材料，奠定芯片封裝的可靠性基礎(chǔ)。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時間內(nèi)準(zhǔn)確評估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點。 目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試方式。其中，JEDEC制定的老化測試標(biāo)準(zhǔn)（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環(huán)測試）主要針對傳統(tǒng)的硅基功率器件

激光錫膏通過“局部激光加熱” 顛覆傳統(tǒng)回流焊的“全局加熱”模式，具備微米級精度（±2μm）、低熱損傷（熱影響區(qū)＜0.1mm）、高抗振性（剪切強(qiáng)度 35MPa）等優(yōu)勢，分低溫、中高溫、高導(dǎo)抗振三大品類，適用于3C精密焊接、新能源汽車三電系統(tǒng)、5G功率電子、先進(jìn)封裝等場景。相比普通錫膏（常規(guī) SnAgCu 合金，適合中低端場景），其在精度、耐溫、可靠性上實現(xiàn)突破。未來將向納米配方、智能化、綠色制造方向發(fā)展，為高端制造提供極致連接方案。

縱觀半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展史，全球已發(fā)生兩次大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是20世紀(jì)70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀(jì)80年代向韓國與中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。如今，中國大陸則成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移的核心地區(qū)。大陸晶圓代工行業(yè)起步較晚，隨著國內(nèi)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，以及終端應(yīng)用市場規(guī)模的擴(kuò)大，國內(nèi)芯片設(shè)計公司對晶圓代工服務(wù)的需求日益提升，中國大陸晶圓代工行業(yè)實現(xiàn)了快速的發(fā)展。 今天，我們要研究的是國內(nèi)龍頭的晶圓代工企業(yè)