瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

瑞薩全新晶圓技術可以幫助MOSFET實現(xiàn)導通電阻降低30%、柵漏電荷減少40%、封裝尺寸縮小50%的目標

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能。基于這一創(chuàng)新產品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個領域。

瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）大幅降低30%；更低的導通電阻有助于顯著降低客戶系統(tǒng)設計中的功率損耗。

REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性（向柵極施加電壓所需的電荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平臺”階段需要注入柵極的電荷量）減少40%。

除了優(yōu)秀的電氣特性外，瑞薩的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業(yè)標準TOLL和TOLG封裝，與其它制造商的器件引腳兼容，且封裝尺寸比傳統(tǒng)TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks，便于光學檢測。

Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年來，瑞薩在MOSFET領域積累了豐富的經(jīng)驗和技術優(yōu)勢，憑借我們強大的制造能力和多個高產能工廠的供貨保障，瑞薩致力于為客戶提供卓越的產品和服務?！?/p>

成功產品組合 瑞薩將全新MOSFET與其產品組合中的眾多器件相結合，推出多種“成功產品組合”方案，包括48V電動平臺和三合一電動汽車單元（逆變器、車載充電器、DC/DC轉換器）等。這些方案基于相互兼容且可無縫協(xié)作的產品，具備經(jīng)驗證的系統(tǒng)架構并帶來經(jīng)優(yōu)化的低風險設計，以加快產品上市速度。瑞薩現(xiàn)已基于其產品陣容中的各類產品，推出超過400款“成功產品組合”，使客戶能夠加速設計過程，更快地將產品推向市場。

供貨信息 RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET現(xiàn)已量產。