• 正文
    • 一、散熱需求的根源——功耗來源分析
    • 二、散熱路徑構(gòu)建的三大原則
    • 三、封裝與布局的協(xié)同優(yōu)化
    • 四、實戰(zhàn)案例參考
  • 相關推薦
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

PCB布局技巧 如何為普通整流橋設計更優(yōu)散熱路徑

06/10 11:04
565
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,MDD普通整流橋被廣泛應用于AC/DC轉(zhuǎn)換電路中,如電源適配器、LED驅(qū)動、電動工具及家電控制板等。隨著系統(tǒng)集成度提升和產(chǎn)品小型化趨勢日益增強,整流橋的熱管理問題逐漸凸顯。特別是在中高電流應用中,合理的PCB布局不僅能提升整流橋的散熱效率,還能增強系統(tǒng)的可靠性與壽命。

本文將從PCB散熱路徑設計的角度,系統(tǒng)性分析普通整流橋的布局優(yōu)化策略。

一、散熱需求的根源——功耗來源分析

普通整流橋在工作過程中主要因其正向壓降(VF)而產(chǎn)生功耗。以一個整流電流為2A,正向壓降為1V的整流橋為例,單管導通時每個周期約有50%的導通時間,因此每對二極管導通平均功耗為:

功耗≈1V×2A×50%×2≈2W

這個2W熱量若不被有效引導至環(huán)境中,會導致整流橋內(nèi)部結(jié)溫升高,進而引發(fā)熱擊穿、參數(shù)漂移乃至失效。因此,PCB層級的熱管理設計至關重要。

二、散熱路徑構(gòu)建的三大原則

增強銅箔面積

整流橋的引腳(特別是AC輸入端與DC輸出端)應盡量連接至大面積銅箔,以形成有效的散熱區(qū)域。例如,可通過鋪銅填滿所在網(wǎng)名的空白區(qū)域,同時使用過孔將熱量引至多層板內(nèi)部或背面。

合理安排熱流路徑

將整流橋放置于PCB熱容量較大的區(qū)域,避免靠近熱敏器件或密集布線區(qū)域。推薦讓正負DC輸出端的銅箔相對分布,形成“熱流對流通道”,提升熱輻射與傳導效率。

使用熱過孔與輔助銅層

在雙面或多層板中,為整流橋引腳下方或周邊布置多個熱過孔(通常為0.3–0.5mm孔徑,間距1mm左右),連接到底層大銅面或地層,有助于快速將熱量引至低溫區(qū)域,緩解頂部發(fā)熱壓力。

三、封裝與布局的協(xié)同優(yōu)化

選擇合適封裝結(jié)構(gòu)

不同整流橋封裝具有不同的散熱能力,例如:

DIP封裝(如KBPC系列)帶螺絲孔,適合螺栓固定于金屬散熱片;

SMD封裝(如MB6S、GBU4K)需要依賴PCB本體散熱,更依賴鋪銅與過孔設計;

帶散熱片金屬底座的封裝(如KBP、GBJ)適合背面加貼導熱墊片提升散熱。

搭配散熱材料使用

可在整流橋下方使用導熱硅脂、導熱墊片,搭配金屬底殼或鋁基板進一步增強對流與輻射;

高功率應用中推薦在整流橋下設置散熱器支架,通過螺絲固定增強熱量傳導。

四、實戰(zhàn)案例參考

在某LED路燈驅(qū)動電源設計中,使用一顆GBU6K整流橋,輸入為220V AC,最大輸出電流達3A。設計人員采用以下布局方案:

GBU整流橋放置于PCB邊緣靠近金屬殼體區(qū)域;

四個引腳對應區(qū)域鋪設20mm×30mm的銅面;

每引腳下方設置6個熱過孔,連接至底層完整GND面;

GND層連接鋁殼,殼體充當散熱輔助體;

關鍵熱通道之間使用導熱硅膠涂布粘合。

最終測試顯示,整流橋工作在滿載條件下,溫升控制在45℃以內(nèi),遠優(yōu)于未鋪銅設計方案(溫升超過80℃)。

所以,MDD整流橋作為電源設計中高功耗器件之一,其穩(wěn)定性與系統(tǒng)熱設計密切相關。通過合理的PCB布局設計——包括鋪銅優(yōu)化、熱過孔輔助、器件封裝選擇與散熱路徑聯(lián)動,可以顯著提升整流橋的散熱性能,從而增強整個系統(tǒng)的安全性與可靠性。作為FAE,在支持客戶產(chǎn)品開發(fā)時,切勿忽視這些“看不見”的熱管理細節(jié),往往是決定產(chǎn)品能否穩(wěn)定長期運行的關鍵。

辰達半導體

辰達半導體

深圳辰達半導體有限公司是一家專注于半導體分立器件研發(fā)設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業(yè)。公司深耕半導體領域17載,始終堅持以產(chǎn)品技術為驅(qū)動,以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務矩陣,產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領域,服務于全球40多個國家與地區(qū)。 公司秉持與時俱進的發(fā)展理念,基于目前先進的分立器件設計及封裝測試能力,持續(xù)關注前沿技術及應用領域發(fā)展趨勢,全面推動產(chǎn)品升級迭代,提高分立器件產(chǎn)業(yè)化及服務閉環(huán)的能力,為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。

深圳辰達半導體有限公司是一家專注于半導體分立器件研發(fā)設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業(yè)。公司深耕半導體領域17載,始終堅持以產(chǎn)品技術為驅(qū)動,以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務矩陣,產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領域,服務于全球40多個國家與地區(qū)。 公司秉持與時俱進的發(fā)展理念,基于目前先進的分立器件設計及封裝測試能力,持續(xù)關注前沿技術及應用領域發(fā)展趨勢,全面推動產(chǎn)品升級迭代,提高分立器件產(chǎn)業(yè)化及服務閉環(huán)的能力,為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。收起

查看更多

相關推薦