晶體管輸出型光耦的性能,取決于其輸入?yún)?shù)、輸出參數(shù)和傳輸特性,傳輸特性決定著其電性能傳送能力和特點。其中最重要的參數(shù)為電流傳輸比(Current transfer ratio)CTR,設(shè)計電路時,除了考慮CTR的選型值,往往還需要關(guān)注更多其它相關(guān)因素的影響。
CTR值的定義為:(IC/IF)*100%,IC是輸出側(cè)的晶體管集電極電流,IF是輸入側(cè)的正向電流。所以,當單位為%時,CTR值被描述成幾十到幾千的數(shù)值。
例如:
當我們選定的光耦CTR值等級是100~600%時,可以認為,這個等級光耦的在輸入和輸出之間,電流的增益或電流的放大倍數(shù)在1.0~6.0倍之間。假設(shè)輸入電流IF=5mA時,
CTR=(IC/IF)*100;
IC=CTR*IF/100;
代入設(shè)定參數(shù):
ICmin=100*5/100=5(mA);
ICmax=600*5/100=30(mA);
理論上同一等級的產(chǎn)品,CTR測定輸出電流IC值應(yīng)為5~30mA。
同一個批次,不同單體的CTR值是有差異的,因此,我們選定某個等級的CTR值是一個區(qū)間值;設(shè)計電路時,需要考慮到不同批次和相同批次產(chǎn)品的CTR最大值和最小值,都應(yīng)能滿足電路工作條件。這種設(shè)計類似于三極晶體管(BJT)的應(yīng)用。
很多設(shè)計人員可能會忽略一點,CTR值的測定,是有其特定條件的。
我們常用的KL817為例,是一顆常見的型號,絕大多數(shù)廠商,均默認其基本測試條件為Ta=25℃,IF=5mA,Vce=5V;如上圖中設(shè)定的恒流源、恒壓源電路等進行測試。針對不同產(chǎn)品電流設(shè)計,其標定CTR的測試條件也不一樣。
上圖是不同的Vce和IF,對應(yīng)的CTR標準值曲線圖。設(shè)定IF=1mA時,CTR約為IF=5mA時的一半。電路設(shè)計時,我們實際的Vce也往往不是5V或10V,更多的是0.1V~0.2V。因此,電路應(yīng)用,經(jīng)常需要進行實測和計算。
上圖體現(xiàn)出負載電流不同對Vce的參考曲線。這就要求我們設(shè)計電路時,把電路在輸出側(cè)的等效負載,計算在整個輸出側(cè)。設(shè)計的目標Vce值,也是隨設(shè)計需求待定的。
此外,CTR、IF、IC等參數(shù),均受到溫度等環(huán)境因素影響。充分考慮設(shè)計冗余量,選用正確的CTR參考等級,同時,將參數(shù)設(shè)計在中心值附近是比較穩(wěn)妥的辦法。