武漢新芯：我也可以量產48層3D NAND

紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能 2018 年就能量產 3D NAND。

美系外資晶片設備分析師 Atif Malik 稱，中國透過 Rambus 和 Spansion 取得 DRAM 和 NAND 記憶體的技術授權。2 月份，Spansion 和武漢新芯(XMC)簽訂 3D NAND 研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion 提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的 NAND IP。Malik 表示，他們相信 2017 年底就能取得 48 層 3D NAND 的驗證，2018 年進行量產。

目前只有三星有能力量產 48 層 3D NAND，另一記憶體大廠 SK 海力士預料要到今年下半才能生產。

與此同時，Malik 也指出，中國投入半導體市場，對設備商來說短多長空。中國砸錢大買設備建廠，應用材料(Applied Materials)、Lam Research 一開始有望受惠。但是長期而言，設備業(yè)者將流失非中國業(yè)者訂單。這是“零和游戲”，中國訂單大增，表示其他記憶體和晶圓代工大廠需要減少資本開支。(注：零和游戲 /zero sum game，一方獲利意味另一方將蒙受損失、兩者相加的總和永遠為零)

他強調，中國加入不會擴大全球半導體設備支出，因為中國向半導體的三大資本開支大廠，采購大量晶片。這三大業(yè)者分別是臺積電(2330)、英特爾、三星電子。中國計畫 2020 年前，國內消費的 40%晶片改為自制。

4 月 12 日有報導，Bernstein 分析師 Mark Newman 表示，記憶體業(yè)者自相殘殺，等到中國廠商進入市場，情況將急轉直下。報告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，他們財力雄厚，等到供給上線后，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的 3D NAND 技術大約落后領先廠商 4~5 年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產之后，市場供給過剩將更加惡化。

目前只有三星有能力制造 3D NAND，其他業(yè)者要到今年下半才開始生產。3D NAND 采用較舊制程(35~50 奈米)，業(yè)者能以較低成本、提高產能。英特爾主管 David Lundell 表示，預計大連廠會在今年底量產 3D NAND。