分子束外延
分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,簡(jiǎn)稱MBE)是一種先進(jìn)的薄膜生長(zhǎng)技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)、納米技術(shù)等領(lǐng)域。通過(guò)在真空環(huán)境中將原子或分子束沉積到基底表面上,實(shí)現(xiàn)原子級(jí)別的控制生長(zhǎng),從而制備出具有精確結(jié)構(gòu)和優(yōu)良性能的薄膜材料。本文將介紹分子束外延的定義、原理、工作過(guò)程、應(yīng)用領(lǐng)域、優(yōu)勢(shì)。