A2I20H080N 數(shù)據(jù)手冊(cè) RF LDMOS寬帶集成功放器

2023/04/25 作者：恩智浦

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A2I20H080N 數(shù)據(jù)手冊(cè) RF LDMOS寬帶集成功放器

A2I20H080N寬帶集成電路是一種不對(duì)稱Doherty設(shè)計(jì)，具有片上匹配功能，可在1800至2200 MHz范圍內(nèi)使用。該多級(jí)結(jié)構(gòu)適用于26至32 V的操作，并覆蓋了所有常見的蜂窩基站調(diào)制格式。

特點(diǎn)包括：

先進(jìn)的高性能封裝式Doherty
片上匹配（50歐姆輸入，直流阻塞）
集成靜態(tài)電流溫度補(bǔ)償，帶使能/禁用功能（2個(gè)）
為數(shù)字預(yù)畸變誤差校正系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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器件型號(hào)	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價(jià)格	更多信息
RC0603JR-070RL	1	YAGEO Corporation	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 0ohm, Surface Mount, 0603, CHIP	ECAD模型下載ECAD模型	$0.06	查看
GCM155R71H103KA55D	1	Murata Manufacturing Co Ltd	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.01uF, Surface Mount, 0402, CHIP, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.09	查看
M39029/56-348	1	Glenair Inc	Connector Accessory,		$0.89	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。