MMRF1316NR1 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

370

加入交流群

掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

MMRF1316NR1 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

The MMRF1316NR1 is a high ruggedness device and is designed for use in VSWR military, aerospace and defense, radar and radio communications applications. It is an unmatched input and output design

原創(chuàng)聲明：本文為恩智浦原創(chuàng)內容，未經書面授權，不得以任何方式加以使用。轉載合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

MMRF1316NR1 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

相關推薦