芯耀
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在如今的電池供電系統領域，人們對功率轉換器的效率要求越來越高。隨著這些系統在工業(yè)和商業(yè)應用中的不斷增加（筆記本電腦、便攜設備、家用電器、電動助力自行車、電動滑板車、輪椅、手機等），為了滿足用戶需要長時間持久使用同一電池電量的要求，提高效率變得非常重要。為此，研究人員在設計新的轉換器結構、增加轉換器開關頻率和構想創(chuàng)新的功率器件方面做出了巨大努力。
一般來說，電池供電系統需要低壓開關器件（<100V）。由于其高開關速度和易于驅動的優(yōu)點，功率MOSFET器件在這個電壓范圍內占據主導地位。MOSFET的導通損耗是總功率損耗平衡中的主要關注點，特別是在低或中等開關頻率的轉換器中。由于導通損耗取決于漏源電阻（Ron），而漏源電阻嚴格與結構設計相關，因此許多現代MOSFET采用基于單元的布局，以實現低導通電阻。單元密度的增加可以進一步降低導通電阻，從而增加每個器件面積單位的電流能力。然而，對于當今最先進的MOSFET來說，采用傳統布局的導通電阻的進一步降低受到限制，因為這種方法已經接近了其物理極限[1]。為了克服這種技術的限制，需要創(chuàng)新的方法。
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