刻蝕工藝

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中,經(jīng)過掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影,在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形,或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形,然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去,制造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法,有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕;濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。

把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中,經(jīng)過掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影,在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形,或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形,然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金屬薄膜(如鋁及其合金)上去,制造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法,有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕;濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。收起

查看更多
  • 在濕法工藝中,為什么TMAH刻蝕Si能夠形成Σ形狀
    TMAH,即四甲基氨基氫氧化物(Tetramethylammonium hydroxide),是一種典型的有機(jī)胺鹽堿性物質(zhì),在半導(dǎo)體、光學(xué)、化學(xué)等眾多領(lǐng)域中占據(jù)著重要地位,尤其是在半導(dǎo)體濕法工藝中。
    在濕法工藝中,為什么TMAH刻蝕Si能夠形成Σ形狀
  • 什么是晶邊刻蝕(Bevel Etch)工藝?
    在介紹Bevel Etch工藝前,先簡單介紹薄膜工藝:化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,CVD)是通過氣體混合的化學(xué)反 應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被加熱起來向反 應(yīng)系統(tǒng)提供附加能量。當(dāng)化合物在反應(yīng)腔中混合并進(jìn)行反應(yīng)時(shí),就會發(fā)生化學(xué)氣相沉積過程。原子或分子會沉積在硅片表面成膜,下圖展示了化學(xué)氣相成膜過程。
    1062
    05/09 11:30
  • 原子層刻蝕(ALE, Atomic Layer Etching)詳解
    原子層刻蝕(ALE)是一種基于“自限性反應(yīng)”的納米加工技術(shù),其特點(diǎn)是以單原子層為單位,逐步去除材料表面,從而實(shí)現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD(原子層沉積)相對,一個(gè)是逐層沉積材料,一個(gè)是逐層去除材料。
    4770
    01/16 08:39
    原子層刻蝕(ALE, Atomic Layer Etching)詳解
  • 半導(dǎo)體濕法刻蝕有多少工藝要求
    半導(dǎo)體濕法刻蝕工藝要求涉及多個(gè)方面,那么想要大家一口氣說完肯定不科學(xué)。為了讓大家系統(tǒng)充分的了解與明白,我們給大家準(zhǔn)備 下面的詳細(xì)資料解釋:
  • 等離子體刻蝕和濕法刻蝕的區(qū)別
    等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。
    等離子體刻蝕和濕法刻蝕的區(qū)別