Ciena聯(lián)合Vertical Systems Group報告顯示,受AI驅動,400G波長服務需求將在2029年前激增,同時100G circuits持續(xù)穩(wěn)定增長。托管光纖網(wǎng)絡(MOFN)成為超大規(guī)模企業(yè)數(shù)據(jù)中心建設新趨勢。
在半導體 SiGe 工藝中,分兩步生長低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求:晶格常數(shù)差異:Ge的晶格常數(shù)(5.66 ?)比Si(5.43 ?)大約4%,直接在 Si 襯底上生長高摻雜 Ge 層會因晶格失配產(chǎn)生高應力,導致位錯等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層,通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量(如從 Si 到 SiGe 的過渡),逐步釋放晶格應力,為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長基礎。
芯聯(lián)集成榮膺TMC2025“2025年度創(chuàng)新技術大獎”。 6月12日,在第十七屆國際汽車動力系統(tǒng)技術年會上,芯聯(lián)集成憑借其1500V SiC MOS 灌膠模組系列產(chǎn)品,斬獲組委會頒發(fā)的“2025年度創(chuàng)新技術”大獎。 該獎項是對芯聯(lián)集成在車規(guī)級功率半導體領域卓越產(chǎn)品力與領先技術力的高度認可。 作為中國規(guī)模最大、最具影響力的汽車動力系統(tǒng)技術盛會,本屆年會由中國汽車工程學會主辦,匯聚了180余家國內(nèi)外頂
當前全球制造業(yè)正經(jīng)歷從“自動化”到“智能化”的深刻躍遷,機器人技術早已成為國際競爭的“新焦點”。據(jù)國際機器人聯(lián)合會(IFR)數(shù)據(jù),2024年全球工業(yè)機器人安裝量突破500萬臺,中國已連續(xù)九年蟬聯(lián)全球最大機器人消費市場。 在機器人產(chǎn)業(yè)加速向智能化轉型的當下,全球工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領域的領導者——研華以其自主系統(tǒng)與機器人(AS&R,Autonomous Systems and Robotic