氮化鎵

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氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。收起

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  • 如何在開關模式電源中運用氮化鎵技術
    作者：Frederik Dostal，電源管理主題專家 摘要 本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。 引言 氮化鎵(GaN)是一種III-V族半導體，為開關電模式電源(SMPS)提供了
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  • 英飛凌攜手偉世通合作開發(fā)面向新一代電動汽車的先進功率轉換系統(tǒng)
    汽車半導體領域領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球汽車座艙電子產(chǎn)品領導者偉世通（NASDAQ代碼：VC）近日宣布，雙方已簽署諒解備忘錄（MOU），將共同推進下一代電動汽車動力總成的開發(fā)。 英飛凌和偉世通將在此次合作中集成基于英飛凌半導體的功率轉換器件，并重點使用寬禁帶器件技術。與硅基半導體相比，該技術在功率轉換應用中擁有顯著優(yōu)勢，包括更高的功率密度、
  • 拆解報告：戴森1600W氮化鎵高速吹風機
    充電頭網(wǎng)第3587篇拆解報告。
  • 英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK CoolGaN 功率模塊
    隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預計全球?qū)﹄娏Φ男枨髮焖僭鲩L。為應對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進一步擴大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)
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  • 我國發(fā)布全球首個氮化鎵量子光源芯片
    近日，全球首個氮化鎵量子光源芯片在中國品牌日四川活動“魅力天府品牌之夜”上亮相并正式發(fā)布。據(jù)電子科技大學教授、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強透露，包括氮化鎵量子光源芯片在內(nèi)的量子產(chǎn)品有望在2026年實現(xiàn)多場景技術驗證。
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  • 印度開發(fā)出首個完全自主研發(fā)的硅基氮化鎵（GaN）微波功率晶體管
    據(jù) thehindubusinessline 網(wǎng) 5 月 4 日報道，印度科學研究院（IISc）納米科學與工程中心（CeNSE）的研究人員成功開發(fā)出印度首個完全自主研發(fā)的硅基氮化鎵（GaN）微波功率晶體管。
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  • 重磅！意法半導體、英諾賽科達成GaN合作
    “電動交通&數(shù)字能源SiC技術應用及供應鏈升級大會”活
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  • 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議
    服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。 根據(jù)協(xié)議，雙方將合作推進氮化
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  • 淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用
    對功率放大器（PA）進行恰當?shù)拈_發(fā)、驗證和特性分析十分重要，因為功率放大器通常在發(fā)射設備的功耗中占很大比例。在大多數(shù)芯片組和組件中，硅已被證明是一種可靠、經(jīng)濟高效且易于制造的材料。然而，隨著世界越來越朝著數(shù)字化、互聯(lián)互通且以設備為主導的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，對更高性能、更高吞吐量和更高效率的需求也在增加。
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  • 良率超99%！國產(chǎn)8英寸GaN迎來新突破
    近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵高電子遷移率材料的制備，在高頻、高功率器件等領域，有望為前沿技術發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化落地提供有力支撐：
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  • GaN新技術！英諾賽科、納微、英飛凌等放大招
    近期，英諾賽科、納微半導體、英飛凌等企業(yè)公布了單片集成、雙向開關等氮化鎵產(chǎn)品&平臺，在產(chǎn)品成本、性能等方面實現(xiàn)了新的突破：
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  • 5G時代的功率放大器革新：揭秘氮化鎵GAN如何引領高效通信
    為推動全國5G部署的大規(guī)模MIMO（多輸入多輸出）技術。雖然毫米波頻率應用的潛力最終將得到實現(xiàn)，但在未來幾年內(nèi)，5G服務將主要通過Sub-6GHz（6GHz以下）頻段傳輸?shù)男盘杹矶x。為了實現(xiàn)這一點，下一代基站解決方案需要在射頻前端（RFFE）性能上進行顯著提升。
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  • 英諾賽科正式納入港股通：第三代半導體龍頭開啟資本賦能新紀元
    2025年3月10日，第三代半導體龍頭英諾賽科正式納入港股通。預期后續(xù)估值與流動性將實現(xiàn)雙提升，或成中國半導體全球引領的關鍵樣本。依托IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，英諾賽科在數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、AI服務器領域正在成為“隱形冠軍”，其已推出全球首個量產(chǎn)100V GaN解決方案，布局40V車規(guī)級產(chǎn)品并通過AEC-Q101認證。
  • 英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN G3晶體管，推動全行業(yè)標準化進程
    氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子器件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止，GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝的 CoolGaN? G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQF
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  • 英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導體預測報告》
    在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內(nèi)的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領域的發(fā)展。 英飛凌在其 《2025年GaN功率半導體預測報告》中強調(diào)，GaN將成為影響游戲規(guī)則的半導體材料，它將極大改變大眾在消費、交通出行、住宅太陽能、電信
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  • 《元器件交易動態(tài)周報》-功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升
    核心觀點： 功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升。 二極管四方維商品動態(tài)商情交貨周期指數(shù)維持在自2024年初以來的上升趨勢中；而晶體管交貨周期指數(shù)處于低位徘徊。 2025年1月，功率器件價格整體保持穩(wěn)定。 三大維度解讀功率器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維 圖 | 晶體管四方維商品動態(tài)商情需求指數(shù)情況，
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    02/24 11:35
    《元器件交易動態(tài)周報》-功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升
  • 鎵未來：GaN增長態(tài)勢明顯，重點布局三大領域
    回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個領域取得了顯著進步，并經(jīng)歷了重要的變化。展望2025年，行業(yè)也將面臨新的機遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進方向，行家說三代半與行家極光獎聯(lián)合策劃了《第三代半導體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》專題報道。
  • CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領域的增長
    氮化鎵（GaN）功率器件的領先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。 電力電子進入 GaN 的時代 氮化鎵器件代表了
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  • 總投資超5億！2個GaN項目加速推進
    步入2025年，氮化鎵領域迎來新動態(tài)，“行家說三代半”最新獲悉，國內(nèi)外有兩大氮化鎵項目取得重要進展。2日15日，據(jù)“鹿泉融媒”透露，河北博威集成電路有限公司的氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線正在進行基坑施工，預計2025年底竣工。
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  • GaN迎“開年紅”！4家企業(yè)獲新訂單
    2025年剛開局，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)外便有多家氮化鎵相關企業(yè)迎來業(yè)務“開門紅”，訂單紛至沓來，行業(yè)熱度持續(xù)升溫。2月1日，據(jù)珠海高新區(qū)官微透露，英諾賽科2025年新年伊始便訂單激增，特別是在氮化鎵功率器件的生產(chǎn)上，訂單充足，為了保障客戶需求，英諾賽科春節(jié)不停工、不停產(chǎn)，繼續(xù)保持生產(chǎn)節(jié)奏。

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