DDR4

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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點：16bit預(yù)取機制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點：16bit預(yù)取機制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。收起

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  • 研報 | 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價漲幅擴大
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。
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  • 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價漲幅擴大
    由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。 DDR4世代的生命周期已超過10年，需求逐步由DDR5取代，加上HBM、DDR5、LPDDR5(X)等產(chǎn)品的利潤率皆明顯較高，各主要供應(yīng)商已規(guī)劃終止生產(chǎn)DDR4，最后出貨時間大約落在202
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  • 存儲又雙叒漲價了，這次啥情況？
    最近，存儲芯片又傳出了漲價的消息。此前，我們曾報道過三星小容量eMMC正在瘋狂漲價，當(dāng)下，存儲市場又出現(xiàn)了新的瘋漲產(chǎn)品，不到2個月價格已經(jīng)翻倍，甚至有人直言現(xiàn)在“一小時一個價”。現(xiàn)在哪些存儲芯片正在漲價，又為啥漲了？
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    05/16 15:30
    存儲又雙叒漲價了，這次啥情況？
  • 存儲現(xiàn)貨市場資源緊缺，拉動行業(yè)DDR4和LPDDR4X價格上漲
    近期時間存儲現(xiàn)貨市場中部分供應(yīng)端LPDDR4X/DDR4資源供應(yīng)吃緊，推動現(xiàn)貨市場部分資源價格上漲，材料成本上揚傳導(dǎo)至現(xiàn)貨成品端，部分存儲廠商嘗試調(diào)漲行業(yè)內(nèi)存條和LPDDR4X成品價格，主要源于供需關(guān)系失衡與外部政策沖擊的雙重作用，機構(gòu)預(yù)測DDR4漲價周期能維持到Q2階段。但由于終端客戶銷售動能不足，拉貨意愿不強，使得存儲價格上漲幅度較為有限。
    存儲現(xiàn)貨市場資源緊缺，拉動行業(yè)DDR4和LPDDR4X價格上漲
  • DDR4 SDRAM規(guī)范知識體系總結(jié)大綱
    1. 標(biāo)準(zhǔn)定位：? JESD79-4標(biāo)準(zhǔn)定義DDR4 SDRAM最低要求，覆蓋2Gb-16Gb容量x4/x8/x16配置器件。? 基于DDR3（JESD79-3）演進(jìn)，優(yōu)化信號完整性、能效和功能擴展。
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    04/08 10:00
    DDR4 SDRAM規(guī)范知識體系總結(jié)大綱
  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
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  • Teledyne e2v發(fā)布面向高可靠性航空航天和國防應(yīng)用篩選的基于Arm?的LX2160處理器
    Teledyne e2v保證NXP LX2160 16核Arm?Cortex?A72處理器的軍級版本在-55°C至+125°C可靠運行 Teledyne e2v宣布，該公司已通過認(rèn)證并發(fā)布了LX2160的篩選版，可在-55°C至+125°C之間工作。這款符合軍用標(biāo)準(zhǔn)的處理器采用16核Arm?Cortex?A72設(shè)計，以最小的外形尺寸和優(yōu)化的功率包絡(luò)，為航空航天和國防設(shè)備上的AI邊緣計算系統(tǒng)、單板計
    Teledyne e2v發(fā)布面向高可靠性航空航天和國防應(yīng)用篩選的基于Arm?的LX2160處理器
  • DDR4的單、雙DIE兼容，不做仿真行不行？
    地址信號一驅(qū)五的DDR4拓?fù)浜艹Ｒ?，可是，一?qū)五拓?fù)溥€要求單DIE、雙DIE顆粒兼容的你有見過嗎？案例開講之前，先簡單介紹下DIE，英語學(xué)的好的同學(xué)都知道這個詞的意思不太吉利，不過，芯片設(shè)計領(lǐng)域的DIE（裸晶）是另外一個意思，它通常指的是芯片內(nèi)部一個單獨的晶圓區(qū)域，包含了芯片的一個或一組完整功能單元，大致可以理解為去掉了封裝和引腳的芯片。芯片根據(jù)功能和規(guī)模由一個或多個DIE構(gòu)成。
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  • FPGA DDR4讀寫實驗（1）
    DDR4 SDRAM（Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，簡稱為 DDR4 SDRAM），是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器，它屬于 SDRAM 家族的存儲器產(chǎn)品，提供了相較于 DDR3 SDRAM 更高的運行性能與更低的電壓，并被廣泛的應(yīng)用于計算機的運行緩存。
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    2024/07/03
  • ddr3和ddr4的區(qū)別 ddr3最大內(nèi)存條是多少G
    DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的隨機存取存儲器（RAM）技術(shù)，廣泛應(yīng)用于個人電腦、筆記本電腦和服務(wù)器等計算設(shè)備中。它是DDR2的后繼者，提供了更高的傳輸速度和帶寬，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理需求。在本文中，我們將詳細(xì)探討DDR3與DDR4之間的區(qū)別以及DDR3支持的最大內(nèi)存條容量。
    4.5萬
    2024/09/03

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