GaN技術

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  • 長城為何聯(lián)手英諾賽科?解密背后的GaN技術創(chuàng)新
    4月9日,英諾賽科宣布,長城電源面向AI數(shù)據(jù)中心的鈦金級電源中,采用了其先進的氮化鎵(InnoGaN)技術。這一創(chuàng)新之舉,使得電源的轉換效率突破96%大關,輕松超越全球最高80PLUS鈦金級能效標準,為行業(yè)樹立了新的技術標桿。
    長城為何聯(lián)手英諾賽科?解密背后的GaN技術創(chuàng)新
  • 金剛石基GaN技術解決熱管理散熱難題
    DT半導體獲悉,在當今科技飛速發(fā)展的時代,電子器件的性能提升備受關注,而散熱問題始終是制約其發(fā)展的關鍵因素之一。 氮化鎵(GaN)作為高頻、高功率微波功率器件的理想材料,在眾多領域有著廣泛應用。 然而,隨著GaN HEMT(高遷移率晶體管)器件功率密度及頻率的不斷提高,散熱問題日益凸顯,已成為性能進一步提升的瓶頸。
    金剛石基GaN技術解決熱管理散熱難題
  • GaN進軍醫(yī)療市場,僅CT設備規(guī)模就超300億元
    回顧前幾期《行家瞭望》,英飛凌和EPC等行業(yè)巨頭紛紛押注GaN技術,認為其正處于被更多行業(yè)采用的臨界點。近期,“行家說三代半”也發(fā)現(xiàn)了GaN在醫(yī)療領域的廣泛應用前景,以下是一些具體的應用案例:
    GaN進軍醫(yī)療市場,僅CT設備規(guī)模就超300億元
  • 德州儀器擴大氮化鎵(GaN)半導體自有制造規(guī)模, 產能提升至原來的四倍
    德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)近日宣布,公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產,加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產能,德州儀器的 GaN 功率半導體自有制造產能將提升至原來的四倍。 德州儀器技術和制造集團高級副總裁 Mohammad Yunus 表示:“基于在 GaN 芯片設計和制造領域數(shù)十年的專業(yè)知識,我們已成功驗證了德州儀器 8 英寸
    德州儀器擴大氮化鎵(GaN)半導體自有制造規(guī)模,   產能提升至原來的四倍
  • Qorvo? 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器
    全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?(納斯達克代碼:QRVO)宣布,率先推出面向 DOCSIS 4.0 寬帶和有線電視(CATV)的 24V 功率倍增放大器——QPA3390。該款全新 1.8GHz 表面貼裝模塊帶來卓越的效率和性能,且尺寸比傳統(tǒng)混合解決方案縮小 30-40%,非常適合空間受限的應用場景。 得益于先進的 GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 技術,此次發(fā)布的 QP
    Qorvo? 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器