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氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。收起

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  • 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設計創(chuàng)新
    當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此，設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。 GaN 可實現高頻開關，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術相比，GaN 還可降低開關、柵極驅動和反向恢復損耗，從而提高電源設計效率。 您可以使用 650V GaN FET 進行 AC/DC 至 DC/DC 轉換，或使用 100V 或 200V GaN FE
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    22小時前
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  • 納芯微高壓半橋驅動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
    納芯微發(fā)布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數據中
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  • 意法半導體推出針對消費類和工業(yè)電源轉換器和電機控制器
    意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發(fā)者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產品為電源轉換和電機控制設計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費電子和工業(yè)應用的能效、功率密度和魯棒性。 STDRIVEG610主打那些要求啟動時間300ns級別的柵極驅動應用，啟動時間是LLC或ACF電源轉換拓撲的
  • ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅動的隔離型柵極驅動器IC開始量產
    全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現更穩(wěn)定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 新產品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅動器IC。在電壓反復急劇升降的開關工作
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    05/27 09:47
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  • 大聯大詮鼎集團推出基于立锜科技產品的140W電源適配器方案
    致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E芯片的140W電源適配器方案。 圖示1-大聯大詮鼎基于立锜科技產品的140W電源適配器方案的展示板圖 隨著游戲本、高性能創(chuàng)作本等高配電腦設備市場的蓬勃發(fā)展，電源適配器的需求也在不斷升級。一方面，消費者希望充電器能夠快速為設備補充電量，減少等待時間
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  • Nexperia公布2024年業(yè)績表現穩(wěn)健，逆勢下市場前景積極向好
    安世半導體今日公布了2024財年財務業(yè)績。在宏觀經濟持續(xù)不確定和市場周期性疲軟的背景下，公司展現出強大的抗風險能力，通過強化執(zhí)行力和堅持創(chuàng)新投入，實現了營收穩(wěn)定并保持盈利。Nexperia在2024財年結束時總營收達到20.6億美元。在我們界定的市場范圍內，市場份額從2023年的8.9%提升至9.7%。展望來年業(yè)績，得益于毛利率與現金流的持續(xù)改善，公司保持樂觀預期。此積極趨勢在2024年第四季度已
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    05/16 08:23
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  • 幾種基于Doherty結構的GAN氮化鎵功放設計方法介紹
    功率放大器是現代無線通信系統(tǒng)中最重要的組件之一。理想情況下，它們能夠以高線性度和高效率提供高輸出功率。但通常在這三個關鍵的功率放大器性能參數之間需要進行權衡取舍，而且具有最高輸出功率和線性度的放大器往往會犧牲效率。
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  • GaN FET 在人形機器人中的應用
    引言 人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、
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  • 特斯拉專家訪談：GaN車載應用已成趨勢
    2024年10月，特斯拉技術專家接受了國外咨詢機構的調研，其深度解析了氮化鎵技術在汽車領域的應用前景與挑戰(zhàn)，同時還對D-mode / E-mode/直驅/單片集成等技術路線以及氮化鎵主流玩家進行了點評?！靶屑艺f三代半”對該訪談進行了全文翻譯，由于整個采訪多達7000字，為此這篇訪談將分拆成2篇發(fā)布。
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  • 人形機器人中的電機控制
    制造業(yè)和服務行業(yè)對更高自動化水平的需求不斷增長，推動了人形機器人的開發(fā)。人形機器人變得更加復雜和精確，自由度 (DOF) 變得更高，并且對周圍環(huán)境的響應時間（按毫秒計）縮短，從而能更好地模人形類的動作。圖 1 展示了人形機器人的典型電機和運動功能。 圖 1. 顯示人形機器人 DOF 變得更高的位置 具有更高的 DOF 意味著人形機器人需要更多的電機驅動器。機器人設計中的驅動器位置決定了不同的驅動器
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  • 意法半導體披露公司全球計劃細節(jié),重塑制造布局和調整全球成本基數
    服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計劃細節(jié)，進一步更新了公司此前發(fā)布的全球計劃。2024年10月，意法半導體發(fā)布了一項覆蓋全公司的計劃，擬進一步增強企業(yè)的競爭力，鞏固公司全球半導體龍頭地位，利用公司的技術研發(fā)、產品設計、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產，保障公司的垂直整合制造 (I
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  • 面向數據中心需求，TI推出全新的eFuse和集成式 GaN 功率級
    在高效的配電系統(tǒng)中，而智能電子保險絲在其中發(fā)揮了重要作用。以往，工程師會采用分立式熱插拔控制器加上外部場效應晶體管(FET)的傳統(tǒng)保護方案，然而這種方案下，由于漏電導通電阻(RDS (ON))、PCB 走線電阻和比較器閾值不匹配的問題，會給電子保險絲的傳統(tǒng)并聯運行帶來巨大挑戰(zhàn)，這些不匹配會導致電子保險絲之間的電流共享不均（某些電子保險絲承載的電流比其他電子保險絲多），且通常會導致各個電子保險絲過早跳閘，即使系統(tǒng)總電流低于跳閘閾值也是如此。因此，為了減少因這種誤跳閘帶來的系統(tǒng)關斷、運行效率低下等問題，這種分立方案的設計功率一般只能達到4kW。
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    04/10 14:41
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  • 美媒熱炒：洛馬最新GaN雷達真能“鎖定”殲20？
    近日，一則軍事新聞引發(fā)國際關注：當地時間4月7日，美國軍工巨頭洛克希德·馬丁向美國空軍交付首套L波段的TPY-4氮化鎵（GaN）有源相控陣雷達。據其發(fā)布的宣傳片宣稱，該型號AESA雷達能夠有效探測中國殲20等第五代隱形戰(zhàn)斗機。美國有線電視新聞網（CNN）等美媒也對此事大肆渲染，似乎在為美國的軍事優(yōu)勢搖旗吶喊。
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    04/10 08:45
  • 德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現代數據中心的保護級別、功率密度和效率水平
    德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現代數據中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數據中心需要更高功率密度和更高效的解決方案。德州儀器發(fā)布的新款 TPS1685 是具有電源路徑保護的 48V 集成式熱插拔電子保險絲，可幫助客戶滿足數據中心硬件和處理需求。為了簡化數據中心設計，德州儀器還推出了采用行業(yè)標準 TOLL
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  • 淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用
    對功率放大器（PA）進行恰當的開發(fā)、驗證和特性分析十分重要，因為功率放大器通常在發(fā)射設備的功耗中占很大比例。在大多數芯片組和組件中，硅已被證明是一種可靠、經濟高效且易于制造的材料。然而，隨著世界越來越朝著數字化、互聯互通且以設備為主導的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，對更高性能、更高吞吐量和更高效率的需求也在增加。
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  • 英飛凌高管專訪：詳解GaN/SiC/AI/機器人布局與中國本土化發(fā)展！
    今年3月中旬，英飛凌在深圳召開了?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會”。期間，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)負責人潘大偉，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務大中華區(qū)市場營銷負責人劉偉接受了包括芯智訊的專訪，介紹了英飛凌在氮化鎵、碳化硅、AI、機器人等領域的布局，以及英飛凌的在中國的本土化發(fā)展。
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    03/31 10:50
    英飛凌高管專訪：詳解GaN/SiC/AI/機器人布局與中國本土化發(fā)展！
  • 馬自達與羅姆開始聯合開發(fā)采用下一代半導體的汽車零部件
    Mazda Motor Corporation（以下簡稱“馬自達”）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）開始聯合開發(fā)采用下一代半導體技術——氮化鎵（GaN）功率半導體的汽車零部件。 （左）馬自達董事、專務執(zhí)行官兼CTO 廣瀨一郎／（右）羅姆董事、專務執(zhí)行官 東克己 馬自達與羅姆自2022年起，在“針對電驅動單元的開發(fā)與生產合作體系”中，一直在推進搭載碳化硅（SiC）功率半導體的逆變器
    馬自達與羅姆開始聯合開發(fā)采用下一代半導體的汽車零部件
  • 良率超99%！國產8英寸GaN迎來新突破
    近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現8英寸硅基氮極性氮化鎵高電子遷移率材料的制備，在高頻、高功率器件等領域，有望為前沿技術發(fā)展及產業(yè)化落地提供有力支撐：
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  • GaN新技術！英諾賽科、納微、英飛凌等放大招
    近期，英諾賽科、納微半導體、英飛凌等企業(yè)公布了單片集成、雙向開關等氮化鎵產品&平臺，在產品成本、性能等方面實現了新的突破：
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  • 開關模式電源開始采用GaN開關
    作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 在開關模式電源中使用GaN開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關模式電源中的未來前景。 如今，電源管理設計工程師常常會問道： 現在應該從硅基功率開關轉向GaN開關了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術相比傳統(tǒng)硅基MOSFET有許多優(yōu)勢
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    03/19 10:33
    開關模式電源開始采用GaN開關

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