IGBT

• 透視7家SiC/IGBT上市企業(yè)薪酬秘密

  前段時間，眾多與碳化硅相關(guān)的功率半導(dǎo)體上市企業(yè)發(fā)布了2024年財報，在這些上市企業(yè)中，各自的薪酬水平如何？他們之間的薪酬有何差異？基于此，本期“產(chǎn)業(yè)透視”選取了7家在A股上市的SiC/IGBT相關(guān)器件/模塊企業(yè)，分別是士蘭微、芯聯(lián)集成、中車時代半導(dǎo)體、斯達半導(dǎo)體、華潤微、宏微科技、揚杰科技，將從人均薪酬、研發(fā)人員薪酬、銷售人員薪酬和高管薪酬等維度入手，對其人員結(jié)構(gòu)和職工薪酬進行分析。

  行家說三代半

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  25分鐘前

  SiC IGBT

  
• 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成

  在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時間，公司成了為國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已

  王兵

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  23小時前

  SiC MOSFET

  
• 意法半導(dǎo)體在 2025 年東南亞國際半導(dǎo)體展會展示邊緣人工智能和自動化解決方案

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 參加了 5 月 20 日至 22 日的2025年東南亞半導(dǎo)體展會（展位號 L1901）。 在展會上，意法半導(dǎo)體展出了 10 多款激動人心的展品，包括能夠識別手勢的邊緣人工智能傳感器、個人電子及家電無線連接解決方案?，以及與益登科技(EDOM)合作開發(fā)的汽車動力電池

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  05/30 17:28

  意法半導(dǎo)體 IGBT
• PPS注塑IGBT功率模塊外殼高性能解決方案

  IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的“CPU”，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、電動汽車及新能源裝備等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。其外殼材料需具備耐高低溫、尺寸穩(wěn)定、耐漏電起痕等苛刻性能，以確保模塊在復(fù)雜環(huán)境下的可靠運行。聚苯硫醚（PPS）憑借優(yōu)異的性能，通過注塑成型工藝為IGBT外殼提供了高性能解決方案。 一、PPS注塑IGBT功率模塊外殼具有以下應(yīng)用優(yōu)勢 電氣性能優(yōu)異

  常州瑞璐塑業(yè)

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  05/20 09:26

  IGBT 功率模塊
• 固晶錫膏如何征服高功率封裝 一文破解高密度封裝的散熱密碼

  固晶錫膏是專為芯片固晶設(shè)計的錫基焊料，通過冶金結(jié)合實現(xiàn)高強度、高導(dǎo)熱連接，對比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏，具備超高導(dǎo)熱（60-70W/m?K）、高強度（剪切強度40MPa+）、精密填充（間隙5-50μm）等優(yōu)勢。分高溫型（SnAgCu）、中溫型（SnBi）、高導(dǎo)型，適用于功率半導(dǎo)體、LED 顯示、汽車電子、先進封裝等場景，解決高功率散熱、振動耐受、精密間隙填充等難題。選型需結(jié)合芯片耐溫、間隙精度、環(huán)境要求，以金屬級連接提升器件可靠性與性能上限，成為高端封裝的關(guān)鍵材料。

  傲?？萍?/span>

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  05/16 15:36

  汽車電子 IGBT
• 意法半導(dǎo)體車規(guī)柵極驅(qū)動器提升電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的可擴展性和性能

  意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅(qū)動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設(shè)置的安全保護和豐富的診斷功能，確保電驅(qū)系統(tǒng)通過ISO 26262 ASIL D認(rèn)證。STGAP4S驅(qū)動器集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和反激式電源控制器，功能豐富，取得了功能安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，適用于設(shè)計可擴展的電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)。 STGAP4S的設(shè)計靈活性歸功于輸出電路，該電路允許將高

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  05/12 18:12

  意法半導(dǎo)體 IGBT

  
• 芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長 營收同比超28%增長

  百尺竿頭更進一步，中流擊水正當(dāng)其時。 4月28日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年及2025年第一季度業(yè)績公告。2024年，公司各季度營收節(jié)節(jié)攀升，以"新能源+智能化"雙引擎驅(qū)動業(yè)務(wù)發(fā)展，在行業(yè)波動中交出逆勢增長答卷： 實現(xiàn)營收65.09億，其中主營收入62.76億元，同比增長27.8% 歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正達1.03% EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）21.45億元，同比增長

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  04/29 07:17

  晶圓代工 IGBT

  
• 黑龍江IGBT項目即將投產(chǎn)，年產(chǎn)能500萬個

  4月21日，“大慶政事”報道了黑龍江功率模塊項目的建設(shè)進展，該項目預(yù)計6月實現(xiàn)量產(chǎn)，年產(chǎn)能將達500萬個。該報道提到，匯芯功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)制造項目是由廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司全資子公司——黑龍江匯芯半導(dǎo)體有限公司投資建設(shè)，該項目力爭5月底達到試生產(chǎn)條件，預(yù)計6月份實現(xiàn)量產(chǎn)，屆時，全球首條智能功率模塊AI示范封測線將投產(chǎn)。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/25 14:07

  IGBT 功率模塊

  
• 南京IGBT/SiC功率模塊項目投產(chǎn)，年產(chǎn)250萬只

  4月23日，丹佛斯動力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用,總投資超8億元，可年產(chǎn)IGBT/SiC功率模塊250萬只，電機及電驅(qū)動產(chǎn)品10萬套。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/25 08:50

  IGBT SiC功率模塊

  
• 這家IGBT企業(yè)營收達22億，增長120%

  據(jù)“揚州日報”4月16日報道，過去幾年揚州市簽約落戶、開工建設(shè)的一批制造業(yè)重點項目，已經(jīng)或即將成長為工業(yè)經(jīng)濟的壓艙石，其中，比亞迪半導(dǎo)體在揚州建設(shè)的功率半導(dǎo)體模組及晶圓生產(chǎn)項目碩果累累。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/17 14:31

  碳化硅 IGBT
• 走進英飛凌無錫工廠，見證30年成長路

  1995年，英飛凌（原西門子半導(dǎo)體事業(yè)部）進入中國，在無錫建立了第一家工廠，開啟在華發(fā)展的篇章。 1999年，西門子將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離成立英飛凌科技（以下簡稱“英飛凌”），彼時這家公司僅擁有5 萬名員工，主要生產(chǎn)消費電子芯片，無錫工廠也因此同步更名為英飛凌無錫。 2001年，英飛凌無錫工廠率先引入分立器件和智能卡芯片生產(chǎn)線，奠定了領(lǐng)先制造工藝的基礎(chǔ)。 2013年，啟動智能工廠建設(shè)，開啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型之路 2015年，英飛凌半導(dǎo)體（無錫）有限公司正式成立，加速在華智能制造步伐。 從2018年至今，英飛凌無錫工廠不斷豐富本土生產(chǎn)的產(chǎn)品組合，同時提升相關(guān)制造能力和工藝水平。

  夏珍

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  04/14 11:24

  與非觀察 英飛凌

  
• 新品 | IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產(chǎn)品

  英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產(chǎn)品拓展，帶焊接針和帶預(yù)涂導(dǎo)熱材料版本(TIM)。

  英飛凌

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  04/10 08:36

  IGBT

  
• 2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長170%；單季600萬顆

  新能源汽車和清潔能源市場的強勁需求推動下，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)升溫。智新半導(dǎo)體和瀚薪科技作為行業(yè)內(nèi)的佼佼者，近期頻頻傳來訂單增長的喜訊：

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/09 09:35

  碳化硅 IGBT

  
• 安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

  安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實現(xiàn)能效和性能領(lǐng)先行業(yè)的更緊湊變頻電機驅(qū)動 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7） IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝

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  03/18 15:07

  安森美 IGBT

  
• CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動GAN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT

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  03/11 08:37

  GaN IGBT

  
• 東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

  東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出

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  03/06 09:07

  MOSFET IGBT

  
• 目標(biāo)20億！4家IGBT/SiC企業(yè)今年營收將大漲

  2025年開年以來，國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)呈現(xiàn)強勁發(fā)展勢頭。重慶平偉實業(yè)、樂山希爾電子、威海新佳電子及安徽陶芯科半導(dǎo)體等企業(yè)通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴張和海外市場拓展，加速沖刺一季度“開門紅”。其中：

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  02/26 09:03

  SiC IGBT

  
• 這家IGBT/SiC企業(yè)被收購！營收超6200萬元

  近日，長城汽車間接收購了一家功率半導(dǎo)體企業(yè)80%股權(quán)。2月21日，長城汽車發(fā)布公告稱，其間接全資子公司諾博汽車科技有限公司與穩(wěn)晟科技(天津)有限公司簽訂股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，諾博科技擬使用自有資金人民幣379.215777萬元收購穩(wěn)晟科技持有的無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司80%的股權(quán)。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  02/25 10:15

  SiC IGBT

  
• IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃

  近幾年主流芯片制造廠商，包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片，在芯片大小，芯片厚度，飽和壓降，開關(guān)損耗等權(quán)衡之間進行了升級。其中，最高工作結(jié)溫被提及的次數(shù)略多。

  Disciple

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  01/21 11:23

  IGBT IGBT模塊
• IGBT并聯(lián)設(shè)計指南，拿下！

  大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。

  安森美半導(dǎo)體

  2572

  01/21 11:00

  IGBT 并聯(lián)

  

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