SiC

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碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。收起

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  • 透視7家SiC/IGBT上市企業(yè)薪酬秘密
    前段時(shí)間，眾多與碳化硅相關(guān)的功率半導(dǎo)體上市企業(yè)發(fā)布了2024年財(cái)報(bào)，在這些上市企業(yè)中，各自的薪酬水平如何？他們之間的薪酬有何差異？基于此，本期“產(chǎn)業(yè)透視”選取了7家在A股上市的SiC/IGBT相關(guān)器件/模塊企業(yè)，分別是士蘭微、芯聯(lián)集成、中車時(shí)代半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、宏微科技、揚(yáng)杰科技，將從人均薪酬、研發(fā)人員薪酬、銷售人員薪酬和高管薪酬等維度入手，對(duì)其人員結(jié)構(gòu)和職工薪酬進(jìn)行分析。
    透視7家SiC/IGBT上市企業(yè)薪酬秘密
  • 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動(dòng)電源設(shè)計(jì)創(chuàng)新
    當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?GaN 可實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，這樣可減小無(wú)源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比，GaN 還可降低開(kāi)關(guān)、柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗，從而提高電源設(shè)計(jì)效率。 您可以使用 650V GaN FET 進(jìn)行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE
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    23小時(shí)前
    借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動(dòng)電源設(shè)計(jì)創(chuàng)新
  • 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成
    在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時(shí)間，公司成了為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已
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    06/04 10:01
    晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成
  • 12英寸SiC再添新玩家，8吋襯底已量產(chǎn)
    5月31日，合盛硅業(yè)在官微宣布，其下屬單位寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動(dòng)切、磨、拋等加工技術(shù)的研究。據(jù)了解，合盛新材料基于自主設(shè)計(jì)的SiC單晶生長(zhǎng)爐以及多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新坩堝設(shè)計(jì)，使用多孔與涂層石墨技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超大晶體所需的高通量生長(zhǎng)。
    12英寸SiC再添新玩家，8吋襯底已量產(chǎn)
  • 新增3起SiC合作，共促產(chǎn)業(yè)新發(fā)展
    近日，“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn)，中車時(shí)代半導(dǎo)體、杰平方半導(dǎo)體、瞻芯電子等SiC企業(yè)相繼透露了最新的合作進(jìn)展，詳情如下：
    新增3起SiC合作，共促產(chǎn)業(yè)新發(fā)展
  • 新增7個(gè)SiC項(xiàng)目動(dòng)態(tài)，產(chǎn)能布局節(jié)奏加快
    近期，“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn)，國(guó)內(nèi)又新增7個(gè)SiC項(xiàng)目動(dòng)態(tài)，涉及企業(yè)包括瀚薪科技、芯聯(lián)集成、浙江晶瑞、啟明芯半導(dǎo)體、幄肯新材等：
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  • 十年磨一劍！豐田發(fā)布SiC插混車型
    日前，豐田汽車首次向全球發(fā)布第六代豐田RAV4。其中，新RAV4的插電混動(dòng)車型首次采用SiC，在實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)體積更小巧的同時(shí)，動(dòng)力更強(qiáng)、油耗更低。
    十年磨一劍！豐田發(fā)布SiC插混車型
  • Nexperia公布2024年業(yè)績(jī)表現(xiàn)穩(wěn)健，逆勢(shì)下市場(chǎng)前景積極向好
    安世半導(dǎo)體今日公布了2024財(cái)年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。在宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)不確定和市場(chǎng)周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強(qiáng)大的抗風(fēng)險(xiǎn)能力，通過(guò)強(qiáng)化執(zhí)行力和堅(jiān)持創(chuàng)新投入，實(shí)現(xiàn)了營(yíng)收穩(wěn)定并保持盈利。Nexperia在2024財(cái)年結(jié)束時(shí)總營(yíng)收達(dá)到20.6億美元。在我們界定的市場(chǎng)范圍內(nèi)，市場(chǎng)份額從2023年的8.9%提升至9.7%。展望來(lái)年業(yè)績(jī)，得益于毛利率與現(xiàn)金流的持續(xù)改善，公司保持樂(lè)觀預(yù)期。此積極趨勢(shì)在2024年第四季度已
    Nexperia公布2024年業(yè)績(jī)表現(xiàn)穩(wěn)健，逆勢(shì)下市場(chǎng)前景積極向好
  • 超15億！2個(gè)SiC項(xiàng)目開(kāi)工/即將投產(chǎn)
    近日，國(guó)內(nèi)外又新增2個(gè)碳化硅項(xiàng)目動(dòng)態(tài)：揚(yáng)杰科技：SiC車規(guī)級(jí)模塊項(xiàng)目總投資10億，已正式開(kāi)工；EYEQ Lab：8英寸SiC晶圓廠今年9月投產(chǎn)，年產(chǎn)能為14.4萬(wàn)片。
    超15億！2個(gè)SiC項(xiàng)目開(kāi)工/即將投產(chǎn)
  • 研報(bào) | SiC襯底市場(chǎng)2024年?duì)I收年減9%，但長(zhǎng)期需求樂(lè)觀
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，受2024年汽車和工業(yè)需求走弱，SiC襯底出貨量成長(zhǎng)放緩，與此同時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC襯底產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。
    研報(bào) | SiC襯底市場(chǎng)2024年?duì)I收年減9%，但長(zhǎng)期需求樂(lè)觀
  • SiC襯底市場(chǎng)2024年?duì)I收年減9%，但長(zhǎng)期需求樂(lè)觀
    受2024年汽車和工業(yè)需求走弱，SiC襯底出貨量成長(zhǎng)放緩，與此同時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC襯底產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。 進(jìn)入2025年，即便SiC襯底市場(chǎng)持續(xù)面臨需求疲軟和供給過(guò)剩的雙重壓力，但長(zhǎng)期成長(zhǎng)趨勢(shì)依舊不變，隨著成本逐漸下降和半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來(lái)SiC的應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。同時(shí)，激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)
    SiC襯底市場(chǎng)2024年?duì)I收年減9%，但長(zhǎng)期需求樂(lè)觀
  • 內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽(yáng)能系統(tǒng)采用
    全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡(jiǎn)稱“SMA”）在其太陽(yáng)能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺(tái)，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。 羅姆半導(dǎo)體歐
    內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽(yáng)能系統(tǒng)采用
  • 泰克：本土深耕四十余年，賦能中國(guó)科技新征程
    在當(dāng)今全球科技飛速發(fā)展的浪潮中，泰克始終與您并肩前行。作為全球測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的先行者，我們深知每一位客戶和工程師的需求與期望，也深知我們肩負(fù)的責(zé)任與使命。今天，我們?cè)俅沃厣晏┛恕霸谥袊?guó)，為中國(guó)”的堅(jiān)定戰(zhàn)略，向您傳遞我們不變的承諾與信心。 一．創(chuàng)始本地基礎(chǔ) 泰克進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)已有四十余年，這是一段充滿挑戰(zhàn)與機(jī)遇的旅程，更是一段與您共同成長(zhǎng)、攜手創(chuàng)新的歷程。從1972年尼克松訪華贈(zèng)送帶有泰克設(shè)備的衛(wèi)星地面
    泰克：本土深耕四十余年，賦能中國(guó)科技新征程
  • 3家SiC企業(yè)推進(jìn)8英寸量產(chǎn)進(jìn)程
    近期，國(guó)內(nèi)有3家碳化硅企業(yè)透露了8英寸進(jìn)展，量產(chǎn)化進(jìn)程明顯加快：重投天科：6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場(chǎng)；合盛硅業(yè)：8 英寸碳化硅襯底已開(kāi)始小批量生產(chǎn)，將加速量產(chǎn)進(jìn)程；超芯星：開(kāi)啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)，將推動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)。
    3家SiC企業(yè)推進(jìn)8英寸量產(chǎn)進(jìn)程
  • 12英寸SiC加速！今年已有13家企業(yè)加快布局
    在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)賽道上，12 英寸碳化硅正嶄露頭角。據(jù)《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》透露，今年以來(lái)共有13家碳化硅企業(yè)公布了12英寸技術(shù)進(jìn)展，并顯露出不少行業(yè)新趨勢(shì)：
    12英寸SiC加速！今年已有13家企業(yè)加快布局
  • ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊，將實(shí)現(xiàn)車載充電器小型化！
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV（電動(dòng)汽車）車載充電器（以下簡(jiǎn)稱“OBC”）的PFC*1和LLC*2轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。HSDIP20的產(chǎn)品陣容包括750V耐壓的6款機(jī)型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐壓的7款機(jī)型（BSTxxx2P4K01）。通過(guò)將各種大功率應(yīng)用的電路中所需的
    ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊，將實(shí)現(xiàn)車載充電器小型化！
  • 碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
    全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級(jí)的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會(huì)帶來(lái)一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。
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    04/24 10:05
    碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
  • 車載測(cè)試技術(shù)解析：聚焦高帶寬、多通道同步采集與協(xié)議分析
    當(dāng)汽車從機(jī)械代步工具進(jìn)化為移動(dòng)智能空間，一場(chǎng)關(guān)于“感知、思考、行動(dòng)”的電子革命正在悄然發(fā)生。在智能網(wǎng)聯(lián)汽車和自動(dòng)駕駛技術(shù)快速發(fā)展的背景下，由車載總線、智能傳感器和電驅(qū)系統(tǒng)構(gòu)成的復(fù)雜車載電子系統(tǒng)正在將汽車電子測(cè)試由單一信號(hào)捕捉轉(zhuǎn)變?yōu)橄到y(tǒng)級(jí)綜合分析，這無(wú)疑對(duì)汽車的測(cè)試解決方案提出了更高要求。如何在高速信號(hào)捕捉、多通道同步采集以及復(fù)雜協(xié)議解碼之間取得平衡，成為汽車行業(yè)的技術(shù)人員面臨的共同挑戰(zhàn)。本文將從測(cè)
    車載測(cè)試技術(shù)解析：聚焦高帶寬、多通道同步采集與協(xié)議分析
  • AMEYA360：ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊，將實(shí)現(xiàn)車載充電器小型化！
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，推出4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV(電動(dòng)汽車)車載充電器(以下簡(jiǎn)稱“OBC”)的PFC*1和LLC*2轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。HSDIP20的產(chǎn)品陣容包括750V耐壓的6款機(jī)型(BSTxxx1P4K01)和1200V耐壓的7款機(jī)型(BSTxxx2P4K01)。通過(guò)將各種大功率應(yīng)用的電路中所需的
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  • 6家SiC企業(yè)競(jìng)相布局，將搶占哪些風(fēng)口？
    近期，碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)展不斷，三菱電機(jī)、華潤(rùn)微電子、方正微電子、至信微電子、派恩杰半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體紛紛推出創(chuàng)新產(chǎn)品。這些新品憑借高效、節(jié)能、可靠的性能優(yōu)勢(shì)，正加速推動(dòng)各應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)與能效提升。
    6家SiC企業(yè)競(jìng)相布局，將搶占哪些風(fēng)口？

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