SiGe

• 在半導(dǎo)體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長(zhǎng)？

  在半導(dǎo)體 SiGe 工藝中，分兩步生長(zhǎng)低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求：晶格常數(shù)差異：Ge的晶格常數(shù)（5.66 ?）比Si（5.43 ?）大約4%，直接在 Si 襯底上生長(zhǎng)高摻雜 Ge 層會(huì)因晶格失配產(chǎn)生高應(yīng)力，導(dǎo)致位錯(cuò)等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層，通過(guò)較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量（如從 Si 到 SiGe 的過(guò)渡），逐步釋放晶格應(yīng)力，為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長(zhǎng)基礎(chǔ)。

  國(guó)芯制造

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  15小時(shí)前

  半導(dǎo)體工藝 SiGe

  

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