SK海力士官宣：HBM3E良率已達80%！

SK海力士宣布，其第五代高帶寬存儲器HBM3E的良率已達到80%。這遠遠超出了業(yè)界預期的60~70%。良品率是正常產品減去不良品的比率，“80%的良品率”意味著生產的100個產品中有80個是正常的。

當?shù)貢r間5月21日，SK海力士負責良率的副總裁權在順在接受英國《金融時報》采訪時表示，“HBM3E芯片良率幾乎達到了80%的目標，多虧了這一點，我們減少了50%的量產所需時間。SK海力士正在向HBM市場的“最大采購者”NVIDIA供應HBM3E。最新產品HBM3E進入商業(yè)化已經有一段時間了?！?/p>

HBM 是下一代存儲器系統(tǒng)，其中多個 DRAM 垂直堆疊并通過 TSV（硅電極）連接。隨著成為人工智能（AI）加速器中必須包含的“必不可少的半導體”，SK海力士HBM與美國三星電子和美光的競爭正在加劇。在HBM3產品方面率先取得領先地位的SK海力士率先將HBM3E的良率提高到80%，因此很有可能繼續(xù)在市場上占據(jù)主導地位。

SK海力士披露的收益率遠高于行業(yè)預期的60~70%。作為商業(yè)機密的收益率披露被業(yè)界解讀為對HBM3E市場領先地位信心的表達?！敖衲?，我們的客戶最想要的產品是 8 層堆疊 HBM3E，”權在順說，“考慮到這一點，我們將精力集中在生產這款產品上。為了占領HBM市場，提高產量非常重要，由于人工智能熱潮，HBM市場的需求正在增長?！?/p>

內存半導體公司對 HBM 市場領導地位的爭奪越來越激烈。三星電子組建了大規(guī)模的“HBM工作組”來追趕SK海力士，前一天，半導體公司的負責人被副會長Jeon Young-hyun取代。業(yè)界預計三星電子將在HBM3E之后拿出特殊措施搶占市場。

全球第三大內存公司美光也決定增加約7000億韓元的投資，以趕上SK海力士。據(jù)路透社報道，美光首席財務官馬修·墨菲（Matthew Murphy）表示，“我們今年已將投資規(guī)模從75億美元提高到80億美元，以增加HBM的供應。美光今年2月宣布，已開始量產8層疊層HBM3E，并已開始對12層疊層HBM3E進行樣品生產。