馬克龍：法國必須掌握2至10納米先進制程半導(dǎo)體制造能力

在AI浪潮與國際形勢變動的大環(huán)境下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為各國競爭的核心戰(zhàn)場。近期，法國總統(tǒng)馬克龍在巴黎VivaTech會議期間表示，法國必須掌握2至10納米先進制程半導(dǎo)體制造能力，在全球科技供應(yīng)鏈中占據(jù)不可替代的位置。

法國雄“芯”勃勃，臺積電、三星或成關(guān)鍵外援

近年，法國不斷通過政策扶持、產(chǎn)學(xué)研協(xié)同與國際合作等方式，力求實現(xiàn)半導(dǎo)體領(lǐng)域突圍。目前，該國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)勢主要集中在成熟制程和特定應(yīng)用領(lǐng)域。

“法國2030”投資計劃將半導(dǎo)體列為七大顛覆性創(chuàng)新領(lǐng)域之一，明確提出到2030年投入55億歐元專項資金，其中29億歐元已落地支持意法半導(dǎo)體與格芯合資的75億歐元晶圓廠項目。這座位于克羅勒的工廠預(yù)計2028年實現(xiàn)滿產(chǎn)，年產(chǎn)能達62萬片18納米晶圓，直指汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等戰(zhàn)略市場。

產(chǎn)學(xué)研協(xié)同方面，格勒諾布爾的CEA-Leti實驗室研發(fā)的FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)助力意法半導(dǎo)體實現(xiàn)18納米制程突破，格芯則將其應(yīng)用于低功耗芯片制造。

不過在先進制程領(lǐng)域，法國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還有很大發(fā)展空間。目前，臺積電與三星是全球少有的掌握2納米至10納米制程的晶圓代工廠商，并且兩家大廠均計劃今年量產(chǎn)2納米芯片。業(yè)界認(rèn)為，法國要想實現(xiàn)生產(chǎn)尖端芯片愿景，最可行路徑之一是說服臺積電或三星等大廠前往法國設(shè)廠。

臺積電3nm產(chǎn)能正持續(xù)擴張，以滿足蘋果、英偉達等核心客戶需求。臺積電2nm（N2）制程將于2025年下半年量產(chǎn)，采用全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術(shù)。相較于3nm（N3E），N2在相同功耗下速度提升10%-15%，功耗降低25%-30%，晶體管密度增加15%。另外，臺積電已規(guī)劃N2P（性能增強版）和A16（背面供電技術(shù)）作為后續(xù)節(jié)點，其中A16通過將供電網(wǎng)絡(luò)移至晶圓背面，進一步釋放布局空間，適合高性能計算（HPC）場景。

在3nm領(lǐng)域，三星良率低于臺積電，不過三星仍獲得了部分客戶訂單。業(yè)界認(rèn)為，未來三星將在2nm領(lǐng)域積極追趕臺積電。三星在2025年第一季財報中強調(diào)，穩(wěn)定2納米GAA制程的良率是目前首要任務(wù)，預(yù)期下半年展開全面量產(chǎn)，以爭取更多下一代制程的主要客戶。6月韓媒報道，三星今年年初2納米芯片良率僅30%，但從上月起已朝著50%目標(biāo)邁進。

法國能否吸引三星、臺積電？尚需解決四大瓶頸

值得一提的是，為應(yīng)對國際形勢變化，晶圓代工大廠愈發(fā)注重全球化產(chǎn)能布局，業(yè)界指出，這為法國吸引臺積電、三星建廠提供了一定可能性，但晶圓廠資金投入與技術(shù)門檻極高，法國發(fā)力先進制程還需要解決四大瓶頸。

一是補貼與成本平衡，法國需提供比肩德國、美國的補貼力度，同時通過稅收優(yōu)惠、能源成本管控降低綜合成本，以吸引晶圓代工廠商投資建廠。

二是技術(shù)生態(tài)升級，三星與臺積電的2納米制程均采用GAA（全環(huán)繞柵極）技術(shù)，而法國在這一領(lǐng)域的技術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)鏈配套仍顯不足。

三是市場需求培育，此前法國專注成熟制程領(lǐng)域發(fā)展，在AI領(lǐng)域的布局尚未形成規(guī)模化需求，未來法國或?qū)⑼ㄟ^政策引導(dǎo)（如政府采購、本土AI企業(yè)扶持）創(chuàng)造對先進制程的規(guī)模化需求。

四是人才與可持續(xù)性發(fā)展，半導(dǎo)體制造需要大量高技能人才，而法國面臨工程師短缺問題。與此同時，先進制程對能源和水資源提出了高需求，這可能與法國的碳中和目標(biāo)存在潛在沖突。

綜上，法國發(fā)力先進制程芯片制造的雄“芯”計劃仍處于早期階段，能否實現(xiàn)還需觀察法國政策補貼與執(zhí)行，以及未來臺積電、三星等大廠的戰(zhàn)略選擇。