芯耀
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美光科技（Micron Technology）近日宣布，將斥資2000億美元大舉投資美國本土，旨在顯著提升其DRAM制造與研發(fā)能力，并將先進的高帶寬內存（HBM）封裝技術引入美國。HBM市場的競爭正愈演愈烈，美光加速HBM4研發(fā)的同時，三星則在HBM3E認證上面臨挑戰(zhàn)。此外，美國本土多個半導體制造項目近期遭遇了當?shù)丨h(huán)境審批和社區(qū)異議帶來的延誤，這促使美國當?shù)厮妓餍碌慕鉀Q方案。
01、美光科技追加投資建廠，擴建升級舊廠，HBM先進封裝引入美國
6月12日，美光科技宣布，計劃大幅擴大其在美國本土的投資，專注于領先DRAM制造和研發(fā)。
根據此次公告，美光計劃在其此前投資規(guī)劃的基礎上，再增加約300億美元的投資（預計總額將達到約2000億美元），在愛達荷州博伊西建設第二座領先的存儲器制造工廠；并對弗吉尼亞州馬納薩斯的現(xiàn)有制造工廠進行現(xiàn)代化改造和擴建；以及將先進的HBM高帶寬內存封裝能力引入美國本土，以支持AI市場帶來的長期增長需求。此外，美光還計劃在本土研發(fā)領域投入500億美元，進一步鞏固其作為全球存儲器技術領導者的長期地位。
此前，美光已宣布在紐約建設一座大型晶圓廠的計劃。截至目前，美光在美國的廣泛擴張計劃涵蓋了愛達荷州的兩座先進制造工廠、紐約州最多四座先進制造工廠、弗吉尼亞州現(xiàn)有工廠的擴建與現(xiàn)代化升級、先進的HBM封裝能力以及旨在推動美國創(chuàng)新和技術領導地位的研發(fā)投入。這些投資旨在滿足預期的市場需求，維持市場份額，并支持美光將40%的DRAM產能在美國本土生產的目標。
值得注意的是，美光在愛達荷州的兩座晶圓廠與其在當?shù)氐难邪l(fā)業(yè)務協(xié)同形成規(guī)模經濟效應，將大大加速包括HBM在內的尖端產品的上市時間。目前，美光在愛達荷州的首座晶圓廠已實現(xiàn)關鍵建設里程碑，DRAM產品預計將于2027年開始量產。同時，美光預計將在完成州和聯(lián)邦環(huán)境審查程序后，于今年晚些時候開始紐約新廠的地面準備工作。美光預計愛達荷州的第二座晶圓廠將早于紐約的首座晶圓廠投產。
據悉，美光預計其所有美國投資都將符合“先進制造投資抵免（AMIC）”的條件，并且公司已獲得了地方、州和聯(lián)邦層面的支持，其中包括《芯片法案》高達64億美元的直接撥款。
02、HBM競速，美光與三星加速追趕
根據TrendForce集邦咨詢最新研究，由于需求強勁，TrendForce集邦咨詢預估2026年HBM市場總出貨量預計將突破30Billion Gb，HBM4的市占率則隨著供應商持續(xù)放量而逐季提高，預計于2026年下半年正式超越HBM3e系列產品，成為市場主流。至于供應商表現(xiàn)，預期SK hynix將以過半的市占率穩(wěn)居領導地位，Samsung與Micron（美光科技）仍待產品良率與產能表現(xiàn)進一步提升，才有機會在HBM4市場迎頭趕上。
目前美光和三星紛紛在HBM新品上發(fā)力。6月10日，美光披露其已成功將其12層堆疊的36GB HBM4產品送樣給多家主要客戶，這一消息表明美光在下一代HBM技術上正加速縮小其與行業(yè)領先者SK海力士的差距。美光強調，其HBM4內存具備2048位元界面，每個內存堆疊的傳輸速率超過2.0 TB/s，性能較前一代產品提升逾60%。該產品旨在賦能下一代AI平臺，并計劃于2026年量產，以配合客戶AI平臺的擴產進度。
在當前主流的HBM3E市場，美光也取得了實質性進展。根據美光科技2025財年第二季度財報會議紀要及相關行業(yè)分析報告，其HBM3E 8H已成功應用于英偉達的GB200平臺，而12層堆疊的HBM3E 12H則將應用于GB300。美光在2025財年第二季度已開始向其第三大HBM3E客戶批量出貨，并預計未來將增加更多客戶。公司樂觀預測，2025財年HBM收入將達到數(shù)十億美元。
三星電子作為存儲器行業(yè)的另一巨頭，也在HBM市場積極布局。但據韓媒最新消息，三星在今年6月進行的第三次英偉達（NVIDIA）12層HBM3E產品認證未能通過。下一次認證已定于2025年9月進行。目前關于此消息，三星還未給予回應。
據供應鏈消息，三星正在對內部架構進行調整，并加速下一代技術的研發(fā)與服務模式的創(chuàng)新。據悉，DS部門負責人全永鉉正在將三星HBM開發(fā)團隊細分為標準HBM、定制化HBM、HBM產品工程（PE）及HBM封裝等團隊。這表明三星正從戰(zhàn)略層面更精細化地管理其HBM業(yè)務，尤其對定制化HBM寄予厚望，以滿足特定客戶的差異化需求，并在競爭中尋求突破點。
此外，根據三星代工論壇（SFF）披露的信息及三星財報會議，其HBM4的開發(fā)細節(jié)如期推進，并已與多家客戶洽談供應定制HBM4，預計將于2026年開始商業(yè)供應。此外三星正積極推進下一代HBM4的開發(fā)和商業(yè)化，該公司已如期推出3D HBM封裝服務，試圖通過先進的封裝技術來提升其在AI芯片價值鏈中的競爭力，爭取在高端市場取得突破。
03、美國多個芯片制造項目延期，當?shù)靥剿餍虏呗?/strong>
據外媒最新消息，由美國政府《芯片法案》資助的多個半導體制造項目在選址和建設過程中，正面臨環(huán)境評估和當?shù)鼐用癞愖h所帶來的延誤。據報道，這些項目包括安靠公司（Amkor）在亞利桑那州的先進封裝工廠、美光公司在紐約的DRAM工廠。
公開資料顯示，安靠公司計劃在亞利桑那州皮奧里亞附近投資20億美元建設一座先進芯片封裝工廠。然而，該計劃遭到了維斯坦西亞附近居民的反對。居民方面提出的主要異議包括對水資源消耗增加和交通擁堵加劇的擔憂。部分居民已表示考慮采取法律行動，并建議項目另擇他址。
盡管安靠的先進封裝工廠建成后將擁有超過46451平方米的潔凈室空間，被視為對美國本土半導體供應鏈至關重要的組成部分——該供應鏈已包含臺積電Fab 21工廠及十余家供應商，并預計成為全球最大的先進封裝工廠之一。然而，鑒于當?shù)鼐用竦某掷m(xù)異議，該工廠能否按原計劃于2027年投產仍存在不確定性。
美光公司計劃在紐約州克萊鎮(zhèn)斥資1000億美元興建的DRAM生產基地，其建設進度同樣遭遇挫折。該項目原計劃于2040年完工，并預計創(chuàng)造約5萬個直接和間接就業(yè)崗位。目前，該公司的環(huán)境評估已被推遲，公眾反饋期也延長至8月。因此，原定于2024年開工的建設工作，在社區(qū)提出的異議得到處理之前尚無法啟動。
據悉，園區(qū)建成后，預計將成為美光公司迄今為止最大的制造基地之一，也是美國最大的半導體工廠之一，規(guī)劃容納四間潔凈室，總面積約5.57萬平方米。盡管該晶圓廠是美光公司擴大其美國生產戰(zhàn)略的關鍵組成部分，初期建設預計在本年代末耗資約200億美元，為未來更大規(guī)模建設奠定基礎，但當前的項目延誤對美光實現(xiàn)“到2030年在美國生產40% DRAM產量”的目標帶來了不確定性。
應對未來類似項目可能出現(xiàn)的延誤，美國方面正在探索新的策略。據報道，北卡羅來納州、賓夕法尼亞州和俄亥俄州等已開始資助預先批準的工業(yè)區(qū)。這些區(qū)域通常已配備必要的基礎設施和基本環(huán)境許可，旨在簡化審批流程，從而提高對半導體公司的吸引力，加速制造業(yè)務的啟動。
該策略的支持者認為，這種前期準備工作有助于降低項目成本、簡化合規(guī)流程，并加速供應商的投資承諾。通過提前規(guī)劃基礎設施，各州也能在企業(yè)未能履行承諾時，施加相應的處罰，以確保投資責任。
