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• 芯片封裝中的打線鍵合（Wire Bonding）

  一、什么是打線鍵合（Wire Bonding）？打線鍵合就是將芯片上的電信號(hào)從芯片內(nèi)部“引出來(lái)”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線（多為金線、鋁線或銅線）將芯片的焊盤（bond pad）和支架（如引線框架或基板）之間做電連接。

  老虎說(shuō)芯

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  3小時(shí)前

  芯片封裝 鍵合線

  
• 告別存儲(chǔ)焦慮 移動(dòng)云對(duì)象存儲(chǔ)×云盤秒存萬(wàn)物

  “手機(jī)內(nèi)存又滿了！”“公司服務(wù)器擴(kuò)容預(yù)算超支30％！”“異地協(xié)作傳文件等到崩潰”…… 無(wú)論你是職場(chǎng)打工人、創(chuàng)業(yè)公司老板，還是熱愛(ài)記錄生活的數(shù)碼達(dá)人，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)難題如影隨形，隨時(shí)隨地跳出來(lái)?yè)v亂。 這對(duì)“國(guó)家隊(duì)CP”，專治各種存儲(chǔ)不服 作為移動(dòng)云旗下核心存儲(chǔ)產(chǎn)品，對(duì)象存儲(chǔ)聯(lián)手移動(dòng)云盤（中國(guó)移動(dòng)云盤），以“國(guó)家隊(duì)”硬核實(shí)力，為個(gè)人、企業(yè)、行業(yè)客戶打造全場(chǎng)景存儲(chǔ)解決方案——從手機(jī)里的一張自拍，到企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中

  電子科技世界

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  4小時(shí)前

  存儲(chǔ)
• 即插即用的全新算法改進(jìn)策略——引導(dǎo)學(xué)習(xí)策略：一種用于元啟發(fā)式算法設(shè)計(jì)和改進(jìn)的新型更新機(jī)制

  元啟發(fā)式算法（MH）是自然啟發(fā)的全局優(yōu)化算法，往往比較簡(jiǎn)單，可以在短時(shí)間內(nèi)解決問(wèn)題，具有一定的好處。但是，隨著問(wèn)題變得更加復(fù)雜，算法所能獲得的解往往不是問(wèn)題的最優(yōu)解，這就限制了其應(yīng)用場(chǎng)景。因此，提高現(xiàn)有算法的性能和求解精度對(duì)于擴(kuò)展其應(yīng)用能力至關(guān)重要。在傳統(tǒng)優(yōu)化算法中，往往有兩個(gè)概念，即探索和利用。探索是指大范圍的離散搜索，用于避免陷入局部最優(yōu)，而利用是指小范圍的集中探索，用于提高算法精度。 如何平衡探索與利用是增強(qiáng)算法性能和問(wèn)題適應(yīng)性的關(guān)鍵。本文提出了一種全新的策略，命名為引導(dǎo)學(xué)習(xí)策略（GLS）來(lái)解決上述問(wèn)題。GLS通過(guò)計(jì)算近幾代個(gè)體歷史位置的均方差來(lái)獲得種群的分散程度，并推斷出算法當(dāng)前需要什么指導(dǎo)。當(dāng)算法偏向于探索時(shí)，就會(huì)引導(dǎo)算法去探索。反之，就會(huì)引導(dǎo)算法去探索。正是因?yàn)檫@種策略能夠識(shí)別算法當(dāng)前的需求并提供輔助，才能提高大多數(shù)算法的性能。

  算法小狂人

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  4小時(shí)前
• 開(kāi)關(guān)電源類產(chǎn)品輻射發(fā)射垂直極化數(shù)據(jù)異常分析

  在電磁兼容（EMC）測(cè)試中，開(kāi)關(guān)電源類產(chǎn)品的輻射發(fā)射測(cè)試常呈現(xiàn)垂直極化方向數(shù)據(jù)顯著高于水平極化方向的現(xiàn)象?？蛻粼跍y(cè)試過(guò)程中往往僅關(guān)注垂直極化數(shù)據(jù)，而忽略水平極化方向的結(jié)果。本文從測(cè)試機(jī)理、電磁波極化原理及實(shí)際產(chǎn)品特性三方面，系統(tǒng)分析該現(xiàn)象的成因及工程意義。 一、測(cè)試系統(tǒng)與極化概念解析 1.測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成 -輻射發(fā)射測(cè)試在3m/10m法電波暗室中進(jìn)行，核心設(shè)備包括： -轉(zhuǎn)臺(tái)系統(tǒng)：承載被測(cè)設(shè)備（EUT）

  eefocus_3931181

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  4小時(shí)前

  開(kāi)關(guān)電源 測(cè)試系統(tǒng)
• 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng)，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求

  核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng)，2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈，預(yù)計(jì)維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來(lái)持續(xù)的庫(kù)存消耗，存儲(chǔ)庫(kù)存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求； 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng)，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最

  曹順程

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  5小時(shí)前

  人工智能 dram

  
• 400nA 超低電流消耗PWM/PFM線圈一體型升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器XCL108 系列

  特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社（東京都中央?yún)^(qū)，代表董事：木村岳史，以下簡(jiǎn)稱特瑞仕）開(kāi)發(fā)了線圈一體型同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器“XCL108系列”，該轉(zhuǎn)換器具有超低功耗、小型化的特點(diǎn)，可用于多種電池供電型電子設(shè)備。 XCL108 系列的最大特點(diǎn)是其400nA的超低消耗電流和超節(jié)省空間的線圈一體型結(jié)構(gòu)，使其成為需要長(zhǎng)電池壽命的近代小型電子設(shè)備的理想選擇。 該產(chǎn)品的靜態(tài)電流為400nA，在輕負(fù)載下，特別是在輸出電流

  與非網(wǎng)編輯

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  5小時(shí)前

  微控制器 PWM

  
• 一枚發(fā)電機(jī)葉片的獨(dú)白

  我是一枚發(fā)電機(jī)上的葉片。出生不久，我就開(kāi)始審視自己的身體：身上滿是絕妙飄逸的曲線，身材完美豐盈，真是美的不可方物。我開(kāi)始無(wú)限自戀起來(lái)。如果看一下自己的體重，說(shuō)實(shí)話愛(ài)上自己的身體不免有些讓人害羞，然而我迷戀的不僅是自己的美，還有各種大小不一的自己。

  英飛凌

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  06/02 10:55

  發(fā)電機(jī)

  
• 一文看懂華為的完整產(chǎn)品體系

  說(shuō)到華為，大家都很熟悉。華為是一家大公司，擁有很多的產(chǎn)品。例如華為的手機(jī)、電腦還有汽車，經(jīng)常在社交媒體上刷屏。而華為的5G通信設(shè)備，還有昇騰、鯤鵬等算力設(shè)備，更是業(yè)界長(zhǎng)期關(guān)注的焦點(diǎn)，占據(jù)了很高的市場(chǎng)份額。

  鮮棗課堂小棗君

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  06/02 09:25

  華為 ICT

  
• 什么是晶圓貼膜（Wafer Mount）？

  一、什么是貼膜（Wafer Mount）？貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“藍(lán)膜”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。

  老虎說(shuō)芯

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  06/02 08:25

  晶圓制造 Wafer

  
• LTspice中的 .tf 仿真命令

  本文介紹了LTspice仿真軟件中的.tf命令，該命令可用于計(jì)算直流小信號(hào)傳遞函數(shù)、輸入輸出阻抗等參數(shù)。通過(guò)一個(gè)單管共射放大電路的實(shí)例，展示了如何利用.tf命令分析三極管在不同偏置電壓下的放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗特性。仿真結(jié)果表明：當(dāng)基極電壓超過(guò)0.7V時(shí)輸入阻抗驟降至1kΩ；輸出阻抗在導(dǎo)通區(qū)下降，飽和區(qū)急劇降低；放大倍數(shù)在0.72V偏置時(shí)達(dá)到峰值-362。文章還演示了如何結(jié)合.step命令分析不同工作點(diǎn)下的傳遞函數(shù)特性，為電路設(shè)計(jì)提供了實(shí)用分析方法。 （全文148字，包含關(guān)鍵參數(shù)和核心結(jié)論）

  卓晴

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  06/01 08:55

  LTspice 輸入阻抗

  
• 受用一生的定理：阿姆達(dá)爾定律

  阿姆達(dá)爾定律(Amdahl's Law)提供了一個(gè)最佳情況的估算，即通過(guò)優(yōu)化系統(tǒng)的特定部分可以提升多少系統(tǒng)性能，用于預(yù)測(cè)并行任務(wù)中系統(tǒng)性能提升的理論上限。該定律是由計(jì)算機(jī)科學(xué)家吉恩·阿姆達(dá)爾(Gene Amdahl, 1922-2015)于1967年提出的。

  專芯致志er

  800

  06/01 08:25

  計(jì)算機(jī)

  
• 中微公司尹志堯：將持續(xù)聚焦高端、填補(bǔ)薄弱環(huán)節(jié)，不懼友商競(jìng)爭(zhēng)！

  5月27日，“中微公司2024年度暨2025年第一季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)&媒體見(jiàn)面會(huì)”在上海臨港召開(kāi)，芯智訊也受邀參與了此次活動(dòng)。在會(huì)議期間，中微董事長(zhǎng)尹志堯詳細(xì)介紹了中微公司自身的發(fā)展戰(zhàn)略和產(chǎn)品布局。

  芯智訊

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  05/31 09:55

  半導(dǎo)體設(shè)備

  
• PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式

  在PECVD工藝中，沉積氧化硅薄膜以SiH?基與TEOS基兩種工藝路線為主。IMD Oxide（USG）這部分主要沉積未摻雜的SiO?，也叫USG（Undoped Silicate Glass），常用于IMD（Inter-Metal Dielectric）。

  TOM聊芯片智造

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  05/31 08:25

  PECVD

  
• Vishay 新款具有領(lǐng)先導(dǎo)通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性

  這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼，從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款采用無(wú)引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)導(dǎo)通電阻的新款80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應(yīng)用

  與非網(wǎng)編輯

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  05/30 17:30

  電阻 MOSFET

  
• RTC實(shí)時(shí)時(shí)鐘DS1337S/PT7C4337WEX國(guó)產(chǎn)替代FRTC1337S

  NYFEA徠飛公司的FRTC1337S串行實(shí)時(shí)時(shí)鐘是一種低功耗時(shí)鐘/日歷，被設(shè)計(jì)成可以無(wú)縫替代市場(chǎng)上流行的DS1337S和PT7C4337WEX(SOP8)兩種型號(hào), 具有兩個(gè)可編程的時(shí)鐘鬧鐘和一個(gè)可編程方波輸出。 地址和數(shù)據(jù)通過(guò)2線雙向總線串行傳輸。時(shí)鐘/日歷提供秒、分鐘、小時(shí)、天、日期、月份和年份信息。月底的日期會(huì)自動(dòng)調(diào)整，對(duì)于少于31天的月份，包括閏年的修正。時(shí)鐘以24小時(shí)或12小時(shí)格式運(yùn)行

  NYFEA徠飛

  833

  05/30 16:35

  時(shí)鐘
• 從時(shí)鐘精度看晶振頻率穩(wěn)定度的重要性

  在當(dāng)今數(shù)字化的時(shí)代，電子設(shè)備無(wú)處不在，從我們?nèi)粘Ｊ褂玫闹悄苁謾C(jī)、電腦，到工業(yè)生產(chǎn)中的自動(dòng)化控制系統(tǒng)，再到航空航天領(lǐng)域的精密儀器，這些設(shè)備的正常運(yùn)行都離不開(kāi)一個(gè)關(guān)鍵的組件——晶振。晶振，全稱為晶體振蕩器，它就如同電子設(shè)備的“心臟起搏器”，為設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)，而晶振的頻率穩(wěn)定度則是決定時(shí)鐘精度的核心因素，對(duì)電子設(shè)備的性能和可靠性起著至關(guān)重要的作用。 晶振頻率穩(wěn)定度與時(shí)鐘精度的關(guān)系 晶振通過(guò)在晶體

  晶發(fā)電子

  969

  05/30 16:30

  晶振 電子設(shè)備
• 負(fù)載電容匹配 晶振電路設(shè)計(jì)中被忽視的隱形殺手

  在電子電路的復(fù)雜世界里，晶振電路作為頻率控制的核心部件，其穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能起著舉足輕重的作用。晶振就如同電子設(shè)備的“心臟起搏器”，精準(zhǔn)地控制著電路的運(yùn)行節(jié)奏。然而，在眾多影響晶振電路性能的因素中，負(fù)載電容匹配這一關(guān)鍵環(huán)節(jié)卻常常被工程師們所忽視，成為潛伏在電路設(shè)計(jì)中的“隱形殺手”，悄無(wú)聲息地影響著系統(tǒng)的正常運(yùn)行。 一、負(fù)載電容在晶振電路中的角色剖析 負(fù)載電容并非單一的實(shí)體電容，它是一個(gè)

  晶發(fā)電子

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  05/30 16:27

  晶振電路 負(fù)載電容
• 激勵(lì)電平與頻差的微妙平衡 晶振選型不可忽視的細(xì)節(jié)

  在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，晶振作為提供穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào)的關(guān)鍵元件，其選型的正確性直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的性能與穩(wěn)定性。而在晶振選型過(guò)程中，激勵(lì)電平與頻差之間的微妙平衡常常被工程師們所忽視，然而這一細(xì)節(jié)卻可能對(duì)電路的正常運(yùn)行產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 激勵(lì)電平：晶振穩(wěn)定工作的關(guān)鍵動(dòng)力 激勵(lì)電平，又稱激勵(lì)功率或驅(qū)動(dòng)電平，主要針對(duì)無(wú)源晶振而言。它是指施加在石英晶片上的電流所對(duì)應(yīng)的功率參數(shù)，代表著驅(qū)動(dòng)晶振（振蕩電路）所需的功率大小

  晶發(fā)電子

  899

  05/30 16:27

  晶振
• 深圳碳化硅芯片龍頭沖刺港交所！中國(guó)唯一，全球第七

  又一國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域龍頭赴港IPO。5月28日?qǐng)?bào)道，5月27日，深圳第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)基本半導(dǎo)體遞表港交所，沖刺“中國(guó)碳化硅芯片第一股”。

  芯東西

  591

  05/30 13:53

  碳化硅芯片

  
• 聯(lián)電披露與英特爾合作的 12nm 制程項(xiàng)目進(jìn)展：預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)

  5 月 28 日，知名晶圓代工廠聯(lián)電（UMC）如期舉辦年度股東大會(huì)。在此次會(huì)議上，聯(lián)電首席財(cái)務(wù)官劉啟東對(duì)外透露，公司與半導(dǎo)體行業(yè)巨頭英特爾（Intel）攜手合作開(kāi)發(fā)的 12nm 制程項(xiàng)目，已然成為聯(lián)電現(xiàn)階段發(fā)展戰(zhàn)略中最為關(guān)鍵的核心計(jì)劃之一，按照目前的項(xiàng)目推進(jìn)節(jié)奏，該 12nm 制程項(xiàng)目預(yù)計(jì)會(huì)在 2027 年正式實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，為市場(chǎng)提供相關(guān)的制程技術(shù)服務(wù)。

  國(guó)芯制造

  1222

  05/30 13:19

  英特爾 聯(lián)電

  

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