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  • 芯片封裝中的打線鍵合（Wire Bonding）
    一、什么是打線鍵合（Wire Bonding）？打線鍵合就是將芯片上的電信號(hào)從芯片內(nèi)部“引出來”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線（多為金線、鋁線或銅線）將芯片的焊盤（bond pad）和支架（如引線框架或基板）之間做電連接。
    芯片封裝中的打線鍵合（Wire Bonding）
  • 告別存儲(chǔ)焦慮 移動(dòng)云對(duì)象存儲(chǔ)×云盤秒存萬(wàn)物
    “手機(jī)內(nèi)存又滿了！”“公司服務(wù)器擴(kuò)容預(yù)算超支30％！”“異地協(xié)作傳文件等到崩潰”…… 無(wú)論你是職場(chǎng)打工人、創(chuàng)業(yè)公司老板，還是熱愛記錄生活的數(shù)碼達(dá)人，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)難題如影隨形，隨時(shí)隨地跳出來?yè)v亂。 這對(duì)“國(guó)家隊(duì)CP”，專治各種存儲(chǔ)不服 作為移動(dòng)云旗下核心存儲(chǔ)產(chǎn)品，對(duì)象存儲(chǔ)聯(lián)手移動(dòng)云盤（中國(guó)移動(dòng)云盤），以“國(guó)家隊(duì)”硬核實(shí)力，為個(gè)人、企業(yè)、行業(yè)客戶打造全場(chǎng)景存儲(chǔ)解決方案——從手機(jī)里的一張自拍，到企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中
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    4小時(shí)前
  • 即插即用的全新算法改進(jìn)策略——引導(dǎo)學(xué)習(xí)策略：一種用于元啟發(fā)式算法設(shè)計(jì)和改進(jìn)的新型更新機(jī)制
    元啟發(fā)式算法（MH）是自然啟發(fā)的全局優(yōu)化算法，往往比較簡(jiǎn)單，可以在短時(shí)間內(nèi)解決問題，具有一定的好處。但是，隨著問題變得更加復(fù)雜，算法所能獲得的解往往不是問題的最優(yōu)解，這就限制了其應(yīng)用場(chǎng)景。因此，提高現(xiàn)有算法的性能和求解精度對(duì)于擴(kuò)展其應(yīng)用能力至關(guān)重要。在傳統(tǒng)優(yōu)化算法中，往往有兩個(gè)概念，即探索和利用。探索是指大范圍的離散搜索，用于避免陷入局部最優(yōu)，而利用是指小范圍的集中探索，用于提高算法精度。 如何平衡探索與利用是增強(qiáng)算法性能和問題適應(yīng)性的關(guān)鍵。本文提出了一種全新的策略，命名為引導(dǎo)學(xué)習(xí)策略（GLS）來解決上述問題。GLS通過計(jì)算近幾代個(gè)體歷史位置的均方差來獲得種群的分散程度，并推斷出算法當(dāng)前需要什么指導(dǎo)。當(dāng)算法偏向于探索時(shí)，就會(huì)引導(dǎo)算法去探索。反之，就會(huì)引導(dǎo)算法去探索。正是因?yàn)檫@種策略能夠識(shí)別算法當(dāng)前的需求并提供輔助，才能提高大多數(shù)算法的性能。
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    4小時(shí)前
  • 開關(guān)電源類產(chǎn)品輻射發(fā)射垂直極化數(shù)據(jù)異常分析
    在電磁兼容（EMC）測(cè)試中，開關(guān)電源類產(chǎn)品的輻射發(fā)射測(cè)試常呈現(xiàn)垂直極化方向數(shù)據(jù)顯著高于水平極化方向的現(xiàn)象?？蛻粼跍y(cè)試過程中往往僅關(guān)注垂直極化數(shù)據(jù)，而忽略水平極化方向的結(jié)果。本文從測(cè)試機(jī)理、電磁波極化原理及實(shí)際產(chǎn)品特性三方面，系統(tǒng)分析該現(xiàn)象的成因及工程意義。 一、測(cè)試系統(tǒng)與極化概念解析 1.測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成 -輻射發(fā)射測(cè)試在3m/10m法電波暗室中進(jìn)行，核心設(shè)備包括： -轉(zhuǎn)臺(tái)系統(tǒng)：承載被測(cè)設(shè)備（EUT）
  • 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng)，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求
    核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng)，2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈，預(yù)計(jì)維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來持續(xù)的庫(kù)存消耗，存儲(chǔ)庫(kù)存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求； 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng)，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最
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    《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng)，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求