EOS備注:
? 一般EOS定義:“由應用于半導體元件的電氣條件超過限值而導致的損壞”。
? 破壞性水平取決于在一定時間內施加的能量量。
? EOS的損壞本身不是根本原因!
? EOS的損壞可能是連續(xù)故障機制的結果。
? 極端的損壞可能掩蓋了根本原因的證據(jù)。
? 任何設備在某個時候都可能受到損壞。
? 不可行的是能夠承受所有EOS威脅的設備(由于成本和物理限制/最大額定值)。
? 要確定根本原因,需要盡可能了解設備失敗的條件。
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半導體行業(yè)裝配線上的EOS最佳實踐
EOS備注:
? 一般EOS定義:“由應用于半導體元件的電氣條件超過限值而導致的損壞”。
? 破壞性水平取決于在一定時間內施加的能量量。
? EOS的損壞本身不是根本原因!
? EOS的損壞可能是連續(xù)故障機制的結果。
? 極端的損壞可能掩蓋了根本原因的證據(jù)。
? 任何設備在某個時候都可能受到損壞。
? 不可行的是能夠承受所有EOS威脅的設備(由于成本和物理限制/最大額定值)。
? 要確定根本原因,需要盡可能了解設備失敗的條件。
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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0430450612 | 1 | Molex | Rectangular Power Connector, 6 Contact(s), Male, Solder Terminal, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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暫無數(shù)據(jù) | 查看 | |
GCM32EC71H106KA03L | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7S, 22% TC, 10uF, Surface Mount, 1210, CHIP, ROHS COMPLIANT |
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$0.91 | 查看 | |
CL03A105MO3NRNH | 1 | Samsung Electro-Mechanics | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 1uF, 16V, ±20%, X5R, 0201 (0603 mm), 0.012"T, -55o ~ +85oC, 7" Reel |
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$0.25 | 查看 |