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MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數據表

2023/04/25
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MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數據表

這些高堅固性的設備是設計用于高駐波比工業(yè)(包括激光和等離子體激勵器)，廣播(模擬和數字)，航空航天和無線電/陸地移動應用。它們是不匹配的輸入和輸出設計允許寬頻率范圍利用，在1.8和600 MHz。

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器件型號 數量 器件廠商 器件描述 數據手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
XAL5030-222MEC 1 Coilcraft Inc General Purpose Inductor, 2.2uH, 20%, 1 Element, Composite-Core, SMD, 2221, CHIP, 2221, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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2-520184-2 1 TE Connectivity ULTRAFAST 250 ASSY REC 22-18 TPBR LP

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$0.32 查看
DF1BZ-14DP-2.5DS 1 Hirose Electric Co Ltd Board Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.098 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, White Insulator, ROHS COMPLIANT
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。收起

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