技術(shù)洞察 | 英飛凌CoolMOS? 8證實(shí)高壓硅基技術(shù)在功率電子領(lǐng)域仍然發(fā)揮著重要作用
核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細(xì)規(guī)格/產(chǎn)品實(shí)體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報(bào)告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 近年來,媒體、網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)和雜志幾乎每天都會(huì)報(bào)道碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件的大規(guī)模部署,它們作為新一代半導(dǎo)體材料,正勢不可擋地拓展應(yīng)用范圍,似乎正在動(dòng)搖硅基器件多年來在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的主導(dǎo)地位!然而,盡管電動(dòng)出行和可再生能源政策為新技術(shù)