功率電子

• 技術(shù)洞察 | 英飛凌CoolMOS? 8證實高壓硅基技術(shù)在功率電子領(lǐng)域仍然發(fā)揮著重要作用

  核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細(xì)規(guī)格/產(chǎn)品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 近年來，媒體、網(wǎng)絡(luò)研討會和雜志幾乎每天都會報道碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件的大規(guī)模部署，它們作為新一代半導(dǎo)體材料，正勢不可擋地拓展應(yīng)用范圍，似乎正在動搖硅基器件多年來在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的主導(dǎo)地位！然而，盡管電動出行和可再生能源政策為新技術(shù)

  大大通

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  06/09 13:30

  功率半導(dǎo)體 功率電子

  
• SiC襯底市場2024年營收年減9%，但長期需求樂觀

  受2024年汽車和工業(yè)需求走弱，SiC襯底出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產(chǎn)品價格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC襯底產(chǎn)業(yè)營收年減9%，為10.4億美元。 進(jìn)入2025年，即便SiC襯底市場持續(xù)面臨需求疲軟和供給過剩的雙重壓力，但長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降和半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來SiC的應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。同時，激烈的市場競爭

  與非網(wǎng)編輯

  683

  05/12 18:15

  SiC Wolfspeed

  

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