HBM4

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  • 研報 | HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預(yù)期溢價幅度逾30%
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，HBM技術(shù)發(fā)展受AI Server需求帶動，三大原廠積極推進(jìn)HBM4產(chǎn)品進(jìn)度。由于HBM4的I/O（輸入/輸出接口）數(shù)增加，復(fù)雜的芯片設(shè)計使得晶圓面積增加，且部分供應(yīng)商產(chǎn)品改采邏輯芯片架構(gòu)以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預(yù)計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。
    研報 | HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預(yù)期溢價幅度逾30%
  • 三星1c DRAM大擴(kuò)產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)
    據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計劃在華城工廠建設(shè)1c DRAM（第6代10nm級DRAM）量產(chǎn)線。預(yù)計該項投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對提高收益率的信心。
    三星1c DRAM大擴(kuò)產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)
  • 遙遙領(lǐng)先 SK海力士首次公開HBM4 帶寬高達(dá)2TB/s
    近期，SK海力士在TSMC 2025北美技術(shù)研討會上展示HBM4 12Hi、HBM3E 16Hi?2款產(chǎn)品是其首次公開展示了其HBM4技術(shù)，是全球唯一一家展示HBM4技術(shù)的公司。
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    04/29 09:25
    遙遙領(lǐng)先 SK海力士首次公開HBM4 帶寬高達(dá)2TB/s
  • SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
    SK Hynix?承諾及時供應(yīng)?HBM4E?以及量產(chǎn)?HBM4 12?層，從而加速其在?HBM?市場的領(lǐng)先地位。SK海力士HBM（高帶寬存儲器）事業(yè)企劃副社長崔俊勇4月7日表示，“我們不僅將在今年量產(chǎn)12層HBM4（第6代HBM），還將適時供應(yīng)（第7代）HBM4E，以進(jìn)一步鞏固我們在HBM領(lǐng)域的領(lǐng)先地位”。
    SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
  • 產(chǎn)業(yè)丨HBM4大戰(zhàn)
    AI數(shù)據(jù)中心所需的HBM和大容量eSSD等高附加值尖端內(nèi)存產(chǎn)品的需求預(yù)計明年將持續(xù)強(qiáng)勁。該產(chǎn)品也是三星電子、SK海力士等國內(nèi)企業(yè)主導(dǎo)的市場。在這種形勢下，HBM成為了一個重要的突破口，這也是三大巨頭加大在這方面投入的原因之一。
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    03/29 09:55
    產(chǎn)業(yè)丨HBM4大戰(zhàn)