• 電鍍機的陽極是什么材質(zhì)？
    什么是可溶性陽極與非可溶性陽極？學(xué)員問：電鍍的陽極有什么講究？什么是可溶性陽極和非可溶性陽極？什么是可溶性陽極與非可溶性陽極？
    電鍍機的陽極是什么材質(zhì)？
  • 貼片（Die Attach）
    貼片，又叫Die Attach，是半導(dǎo)體封裝流程中的一個關(guān)鍵步驟。它的作用是：?將切割下來的芯片（裸晶粒）牢固地粘貼在封裝基底上，例如引線框架（leadframe）、陶瓷基板或芯片載板（substrate）上。
    貼片（Die Attach）
  • 在光刻工藝中，什么是 Leveling ？
    在半導(dǎo)體光刻工藝里，諸多環(huán)節(jié)都對芯片制造的精度與質(zhì)量有著舉足輕重的影響，其中 Leveling（找平）這一關(guān)鍵步驟在確保晶圓表面平整度方面扮演著不可或缺的角色。
    在光刻工藝中，什么是 Leveling ？
  • 阿姆達爾定律的演進：古斯塔夫森定律
    在上一篇文章《受用一生的定理：阿姆達爾定律》中提到的阿姆達爾定律前提是假設(shè)問題的規(guī)模保持不變，并且給定一臺速度更快的機器，目標是更快地解決問題。然而，在大多數(shù)情況下，這并不完全正確。當有一臺更快的機器時，我們可能會希望增加解決問題的規(guī)模或提高解決方案的準確性。
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    22小時前
    阿姆達爾定律的演進：古斯塔夫森定律
  • 晶圓電鍍原理
    之前我們寫過，晶圓電鍍在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用，見文章：哪些制程會用到電鍍工序？電鍍是一個很重要的金屬化工藝，今天我們就以微型電鍍設(shè)備為例，來詳細說說晶圓電鍍的原理。
    晶圓電鍍原理
  • 在濕法工藝中，為什么TMAH刻蝕Si能夠形成Σ形狀
    TMAH，即四甲基氨基氫氧化物（Tetramethylammonium hydroxide），是一種典型的有機胺鹽堿性物質(zhì)，在半導(dǎo)體、光學(xué)、化學(xué)等眾多領(lǐng)域中占據(jù)著重要地位，尤其是在半導(dǎo)體濕法工藝中。
    在濕法工藝中，為什么TMAH刻蝕Si能夠形成Σ形狀
  • 芯片封裝中的打線鍵合（Wire Bonding）
    一、什么是打線鍵合（Wire Bonding）？打線鍵合就是將芯片上的電信號從芯片內(nèi)部“引出來”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細的金屬線（多為金線、鋁線或銅線）將芯片的焊盤（bond pad）和支架（如引線框架或基板）之間做電連接。
    芯片封裝中的打線鍵合（Wire Bonding）
  • 什么是晶圓貼膜（Wafer Mount）？
    一、什么是貼膜（Wafer Mount）？貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍色，業(yè)內(nèi)常稱為“藍膜”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準備。
    什么是晶圓貼膜（Wafer Mount）？
  • LTspice中的 .tf 仿真命令
    本文介紹了LTspice仿真軟件中的.tf命令，該命令可用于計算直流小信號傳遞函數(shù)、輸入輸出阻抗等參數(shù)。通過一個單管共射放大電路的實例，展示了如何利用.tf命令分析三極管在不同偏置電壓下的放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗特性。仿真結(jié)果表明：當基極電壓超過0.7V時輸入阻抗驟降至1kΩ；輸出阻抗在導(dǎo)通區(qū)下降，飽和區(qū)急劇降低；放大倍數(shù)在0.72V偏置時達到峰值-362。文章還演示了如何結(jié)合.step命令分析不同工作點下的傳遞函數(shù)特性，為電路設(shè)計提供了實用分析方法。 （全文148字，包含關(guān)鍵參數(shù)和核心結(jié)論）
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    06/01 08:55
    LTspice中的 .tf 仿真命令
  • PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式
    在PECVD工藝中，沉積氧化硅薄膜以SiH?基與TEOS基兩種工藝路線為主。IMD Oxide（USG）這部分主要沉積未摻雜的SiO?，也叫USG（Undoped Silicate Glass），常用于IMD（Inter-Metal Dielectric）。
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    05/31 08:25
    PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式
  • 在晶圓流片過程中，什么是ECO？
    在芯片設(shè)計領(lǐng)域，ECO（Engineering Change Order，工程變更指令） 是一個關(guān)鍵概念，下面從定義、作用、實施流程及實際應(yīng)用等方面詳細介紹：
    在晶圓流片過程中，什么是ECO？
  • 塑封成型（Molding）
    一、塑封成型是什么？一句話理解：塑封成型（Molding）就是用高溫把一團“熱塑性樹脂材料”壓進模具里，把芯片、鍵合金線和支架整個嚴嚴實實包起來，形成我們最終看到的黑色“IC封裝殼”。
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    05/30 09:15
    塑封成型（Molding）
  • 碳(C)離子注入在 CMOS 器件中有什么作用?？
    在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中，CMOS 工藝是實現(xiàn)低功耗、高集成度芯片的核心技術(shù)。隨著芯片尺寸向納米級縮小，離子注入技術(shù)作為精確調(diào)控半導(dǎo)體電學(xué)性能的關(guān)鍵手段，其重要性愈發(fā)凸顯。其中，碳離子注入憑借獨特的物理化學(xué)特性，在改善材料性能、優(yōu)化器件參數(shù)等方面展現(xiàn)出不可替代的作用。
    碳(C)離子注入在 CMOS 器件中有什么作用?？
  • 三極管經(jīng)典電路詳解：反相、同相與濾波功能全分析（附圖詳解）
    在模擬電路設(shè)計中，三極管依然是基礎(chǔ)又強大的器件。通過簡單的搭建方式，我們不僅能實現(xiàn)信號的放大、邏輯轉(zhuǎn)換，還能附帶“濾波”功能。本文通過幾個經(jīng)典電路圖，詳細講解三極管的反向、同相邏輯轉(zhuǎn)換以及濾波特性，并通過N型、P型三極管組合對比分析，解答設(shè)計中的常見疑惑。
    三極管經(jīng)典電路詳解：反相、同相與濾波功能全分析（附圖詳解）
  • 在芯片電路中，什么是電荷泵(charge pump)？
    電荷泵(charge pump)，也稱為 開關(guān)電容式電壓變換器，是一種利用“快速”（flying）或“泵送”電容（非電感或變壓器）來儲能的DC-DC變換器。 電荷泵能使輸入電壓升高或降低，也可以用于產(chǎn)生負電壓。 其內(nèi)部的FET開關(guān)陣列以一定方式控制快速電容器的充電或放電，從而使輸入電壓以一定因數(shù)（比如1/2，2或3）倍增或降低，最終得到所需要的輸出電壓。
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    05/28 17:40
    在芯片電路中，什么是電荷泵(charge pump)？
  • ABF膜介紹
    什么是ABF膜？ABF，全名Ajinomoto Build-up Film，是由日本味之素（Ajinomoto）公司開發(fā)的一種 電子級樹脂基膜材料，主要用于?IC封裝基板中的絕緣層與構(gòu)建層。
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    05/28 16:34
    ABF
    ABF膜介紹
  • 劃片（Wafer Saw）
    一、什么是劃片（Wafer Saw）？劃片，是指將一整片晶圓（Wafer）上已加工好的成百上千顆芯片（Die），按照既定的劃線，將它們切割成獨立顆粒狀芯片的過程。簡單來說，就是把一整塊“蛋糕”精準地切成一小塊一小塊，方便后續(xù)逐顆封裝。
    劃片（Wafer Saw）
  • 在半導(dǎo)體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
    在半導(dǎo)體制造工藝里，金屬層的電化學(xué)鍍（ECP）是構(gòu)建芯片內(nèi)部復(fù)雜電路互連的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而在 ECP 工藝完成后，一項不可或缺的后續(xù)操作便是洗邊。這一操作看似簡單，實則對芯片制造的整體質(zhì)量、性能以及生產(chǎn)效率有著多方面的深刻影響。
    在半導(dǎo)體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
  • 柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用
    碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當保證設(shè)計靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無需大量設(shè)計工作和設(shè)計布局變化。
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    05/27 11:30
    柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用
  • 高溫IC設(shè)計必懂基礎(chǔ)知識：高結(jié)溫帶來的5大挑戰(zhàn)
    這份白皮書致力于探討高溫對集成電路的影響，并提供適用于高功率的設(shè)計技術(shù)以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。第一篇文章介紹了工作溫度，包括環(huán)境溫度和結(jié)溫等。本文將繼續(xù)介紹高結(jié)溫帶來的挑戰(zhàn)。
    高溫IC設(shè)計必懂基礎(chǔ)知識：高結(jié)溫帶來的5大挑戰(zhàn)

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